IRFHM4226TRPBF

FastIRFET 25V 40A@25C 1.7/2.2Ohm Qg=16nC
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TQFN8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание 25V N-ch MOSFET (FastIRFET), 105A, 1.7mOhm, PQFN3.3x3.3
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ IRFH5250DTRPBF (INFIN) PQFN8 в ленте 4000 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Файлы 1

показать свернуть
FastIRFET™ IRFHM4226TRPbF HEXFET® Power MOSFET VDSS RDS(on) max (@ VGS = 10V) (@ VGS = 4.5V) 25 V 2.2 m 3.3 Qg (typical) 16 nC ID (@TC (Bottom) = 25°C) 60 A PQFN 3.3 x 3.3 mm Applications  Control or Synchronous MOSFET for high frequency buck converters Features Low RDSon (<2.2m) Low Charge (typical 16nC) Low Thermal Resistance to PCB (<3.2°C/W) Low Profile (<0.9 mm) Industry-Standard Pinout Compatible with Existing Surface Mount Techniques RoHS Compliant, Halogen-Free MSL1 Base part number Package Type IRFHM4226TRPbF PQFN 3.3mm x 3.3mm Benefits Lower Conduction Losses Low Switching Losses Enable better thermal dissipation results in Increased Power Density  Multi-Vendor Compatibility Easier Manufacturing Environmentally Friendlier Increased Reliability Standard Pack Form Quantity Tape and Reel 4000 Orderable Part Number IRFHM4226TRPbF Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units V VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 28 ID @ TC(Bottom) = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 105 ID @ TC(Bottom) = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V 67 ID @ TC = 25°C IDM Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Source Bonding Technology Limited) Pulsed Drain Current  PD @TA = 25°C Power Dissipation  2.7 PD @TC(Bottom) = 25°C Power Dissipation  39 TJ Operating Junction and TSTG Storage Temperature Range Linear Derating Factor  A 60 420 0.021 -55 to + 150 W W/°C °C Notes  through  are on page 8 1 www.irf.com © 2014 International Rectifier Submit Datasheet Feedback June 3, 2014 PDF
Документация на серию IRFHM4226PBF 

IRFHM4226TRPbF Product Datasheet

Дата модификации: 09.06.2014

Размер: 562.2 Кб

9 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    17 октября 2013
    новость

    25V FastIRFET - новое семейство MOSFET для синхронных DC-DC преобразователей

    Компания International Rectifier выпустила на рынок первую серию 25 В MOSFET транзисторов новейшего семейства FastIRFET™ рекомендуемых для применения в мощных синхронных понижающих DC–DC преобразователях. Хорошим применением таких... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.