IRFP4468PBF

MOSFET, 100V 290A TO-247AC; Transistor Type:Power MOSFET; Transistor Polarity:N; Voltage, Vds Typ:100V; Current, Id Cont:290A; Resistance, Rds On:2mohm; Voltage, Vgs Rds on Measurement:10V; Voltage, Vgs th Typ:4V; Case Style:TO-247AC; Termination Type:Through Hole; Temperature, Operating Range:-55°C to + 175°C; Current, Idm Pulse:1120A; Power Dissipation:520W; Voltage, Vds Max:100V
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO247AC
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P- IRFP4310ZPBF (INFIN) TO247AC в линейках 25 шт MOSFET N-CH 100V 120A TO-247AC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IPT015N10N5ATMA1 (INFIN) PGHSOF8 2000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
PD -97134 IRFP4468PbF HEXFET® Power MOSFET Applications l High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS l Uninterruptible Power Supply l High Speed Power Switching l Hard Switched and High Frequency Circuits G D Benefits l Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness l Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA l Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability l Lead-Free S VDSS RDS(on) typ. max. ID (Silicon Limited) 100V 2.0m: 2.6m: 290A c ID (Package Limited) 195A D G D S TO-247AC G D S Gate Drain Source Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter Max. Units ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) 290c ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Silicon Limited) 200 ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V (Wire Bond Limited) 195 IDM Pulsed Drain Current d 1120 PD @TC = 25°C Maximum Power Dissipation 520 W A Linear Derating Factor 3.4 VGS Gate-to-Source Voltage ± 20 W/°C V dv/dt TJ Peak Diode Recovery f 10 V/ns Operating Junction and -55 to + 175 TSTG Storage Temperature Range °C 300 Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) 10lbxin (1.1Nxm) Mounting torque, 6-32 or M3 screw Avalanche Characteristics EAS (Thermally limited) Single Pulse Avalanche Energy e IAR Avalanche Currentd EAR Repetitive Avalanche Energy g 740 mJ See Fig. 14, 15, 22a, 22b, A mJ Thermal Resistance Typ. Max. RθJC Symbol Junction-to-Case k ––– 0.29 RθCS Case-to-Sink, Flat Greased Surface 0.24 ––– RθJA Junction-to-Ambient jk ––– 40 www.irf.com Parameter Units °C/W 1 5/21/08 PDF
Документация на серию IRFP4468 

IRFP4468PbF.pmd

Дата модификации: 21.05.2008

Размер: 296.7 Кб

8 стр.

    Публикации 4

    показать свернуть
    20 ноября 2013
    новость

    IRFP4868 - силовой MOSFET с эталонным сопротивлением канала

    Семейство IRFP4x68 силовых MOSFET в корпусе TO–247, выполненных по технологии HEXFET®–trench и имеющих эталонное сопротивление канала в открытом состоянии, расширилось за счет появления нового 300 В транзистора – IRFP4868. Семейство с... ...читать

    30 июля 2013
    статья

    Дорогу молодым! – новые семейства силовых транзисторов от IR

    Транзистор является самым массовым электронным компонентом после резисторов и конденсаторов. Масштабы рынка MOSFET впечатляют, и многие компании не прочь откусить от этого пирога как можно большую часть. Это требует от компаний–лидеров... ...читать

    25 сентября 2009
    статья

    International Rectifier на новом этапе развития

    Компания International Rectifier известна во всем мире как общепризнанный разработчик и производитель силовых электронных компонентов. Номенклатура изделий International Rectifier стала де–факто стандартом силовой электроники и широко... ...читать

    22 декабря 2008
    статья

    Новая серия МОП-транзисторов IRFP4xxx с ультранизким сопротивлением канала

      Отличительная особенность новой серии IRFP4xxx, производимой по новейшей технологии Trench HEXFET Power MOSFETs, – уменьшенное сопротивление Rds(on) до 2,5 раз по сравнению с транзисторами предыдущего поколения. Все они... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.