IRFP4868PBF

MOSFET 300V 70A 32mOhm 180nC
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3 TO-247AC
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание 300V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P+ IRFP4137PBF (INFIN) TO247-3-901 в линейках 25 шт MOSFET N-CH 300V 38A TO-247AC 300V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TO-247AC package

Файлы 2

показать свернуть
IRFP4868PbF VDSS 300V RDS(on) typ. max. ID D 25.5m 32m 70A D S G Applications  High Efficiency Synchronous Rectification in SMPS  Uninterruptible Power Supply  High Speed Power Switching  Hard Switched and High Frequency Circuits TO-247AC G D S Gate Drain Source Benefits  Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness  Fully Characterized Capacitance and Avalanche SOA  Enhanced body diode dV/dt and dI/dt Capability  Lead-Free Base Part Number Package Type IRFP4868PbF TO-247AC Standard Pack Form Quantity Tube 25 Absolute Maximum Ratings Symbol Parameter ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V Pulsed Drain Current  IDM Maximum Power Dissipation PD @TC = 25°C Linear Derating Factor Gate-to-Source Voltage VGS Operating Junction and TJ Storage Temperature Range TSTG Soldering Temperature, for 10 seconds (1.6mm from case) Mounting torque, 6-32 or M3 screw Avalanche Characteristics EAS (Thermally limited) Single Pulse Avalanche Energy  IAR Avalanche Current  EAR Repetitive Avalanche Energy  Thermal Resistance Symbol Parameter Junction-to-Case  RJC Case-to-Sink, Flat Greased Surface RCS Junction-to-Ambient RJA 1 www.irf.com © 2012 International Rectifier Orderable Part Number IRFP4868PbF Max. 70 49 280 517 3.4 ± 20 -55 to + 175 Units A W W/°C V °C 300 10lbfin (1.1Nm) 1093 See Fig. 14, 15, 22a, 22b Typ. ––– 0.24 ––– Max. 0.29 ––– 40 mJ A mJ Units °C/W October 30, 2012 PDF
Документация на IRFP4868PBF 

IRFP4868PbF.pub

Дата модификации: 30.10.2012

Размер: 303.8 Кб

9 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    20 ноября 2013
    новость

    IRFP4868 - силовой MOSFET с эталонным сопротивлением канала

    Семейство IRFP4x68 силовых MOSFET в корпусе TO–247, выполненных по технологии HEXFET®–trench и имеющих эталонное сопротивление канала в открытом состоянии, расширилось за счет появления нового 300 В транзистора – IRFP4868. Семейство с... ...читать

    30 июля 2013
    статья

    Дорогу молодым! – новые семейства силовых транзисторов от IR

    Транзистор является самым массовым электронным компонентом после резисторов и конденсаторов. Масштабы рынка MOSFET впечатляют, и многие компании не прочь откусить от этого пирога как можно большую часть. Это требует от компаний–лидеров... ...читать

    14 февраля 2013
    новость

    300V MOSFET c эталонным Rds(on) от International Rectifier

    Компания International Rectifier представила семейство 300 В MOSFET, при производстве которых используется новейшая кремниевая технология IR, обеспечивающая достижение лучшего сопротивления открытого канала Rds(on) для данного класса... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.