IRFR812PBF

N-MOSFET 500V 3.6A 2200mOhm 13.3nC
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO252
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание 500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ STB6NK60ZT4 (ST) TO263 в ленте 1000 шт MOSFET N-CH 600V 6A D2PAK
A+ IPD60R650CEAUMA1 (INFIN) TO252 2500 шт CONSUMER
A+ STD4NK60ZT4 (ST) TO252 в ленте 2500 шт MOSFET N-CH 600V 4A DPAK
A+ IPA60R650CEXKSA1 (INFIN) TO220FP в линейках 50 шт MOSFET N-CH 600V TO-220-3
A+ IPA50R800CEXKSA2 (INFIN) TO220FP в линейках 50 шт MOSFET N-CH 500V 4.1A TO-220FP
A+ IPA50R500CEXKSA2 (INFIN) TO220FP в линейках 50 шт MOSFET N-CH 500V 5.4A TO-220FP
A+ IRFR825TRPBF (INFIN) TO252 в ленте 2000 шт MOSFET N-CH 500V 6A DPAK 500V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a D-Pak package
A+ IRFB812PBF (INFIN) TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N CH 500V 3.6A TO220AB N CH MOSFET, 500V, 3.6A, TO-220AB; Transistor Polarity:N Channel; Continuous Drain Current Id:3.6A; Drain Source Voltage Vds:500V; On Resistance Rds(on):1.75ohm; Rds(on) Test Voltage Vgs:10V; Power Dissipation Pd:78W ;RoHS Compliant: Yes
A+ IPN60R2K1CEATMA1 (INFIN) SOT-223 в ленте 3000 шт
 
A+ IPL60R650P6SATMA1 (INFIN) PGTSON8 в ленте 5000 шт
 
A+ SPP04N60C3XKSA1 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 600V 4.5A TO-220
A+ IPD70R900P7SAUMA1 (INFIN) TO252 в ленте 2500 шт MOSFET N-CH 700V 12.8A DPAK
A+ STB9NK50ZT4 (ST) TO263 в ленте 1000 шт MOSFET N-CH 500V 7.2A D2PAK
A+ IPD50R800CEAUMA1 (INFIN) TO-252-3 DPAK в ленте 2500 шт CONSUMER
A+ SPA04N60C3XKSA1 (INFIN) TO220FULLPAK3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 650V 4.5A TO220FP
A+ STP9NK50Z (ST) TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 500V 7.2A TO-220
A+ STP6NK60ZFP (ST) TO220FP в линейках 50 шт MOSFET N-CH 600V 6A TO-220FP
A+ STP6NK60Z (ST) TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 600V 6A TO-220
A+ STP5NK60ZFP (ST) TO220FP в линейках 50 шт MOSFET N-CH 600V 5A TO-220FP
A+ STP4NK60ZFP (ST) TO220FP в линейках 50 шт MOSFET N-CH 600V 4A TO-220FP
A+ STD7NM60N (ST) TO252 в ленте 2500 шт MOSFET N-CH 600V 5A DPAK
A+ STD7N52K3 (ST) TO252 2500 шт MOSFET N-CH 525V 6.2A DPAK
A+ STD5NK50ZT4 (ST) TO252 в ленте 2500 шт MOSFET N-CH 500V 4.4A DPAK N-CHANNEL 500V - 1.22Om - 4.4A Zener-Protected SuperMESH™MOSFET
A+ STD5N52K3 (ST) TO252 в ленте 2500 шт MOSFET N-CH 525V 4.4A DPAK
A+ IPA60R950C6XKSA1 (INFIN) TO220FP в линейках 50 шт MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-FP

Файлы 1

показать свернуть
PD -97773 IRFR812TRPbF HEXFET® Power MOSFET Applications • Zero Voltage Switching SMPS • Uninterruptible Power Supplies • Motor Control applications VDSS RDS(on) typ. Trr typ. 500V Parameter 75ns 1.85Ω 3.6A D Features and Benefits • Fast body diode eliminates the need for external diodes in ZVS applications. • Lower Gate charge results in simpler drive requirements. • Higher Gate voltage threshold offers improved noise immunity. Absolute Maximum Ratings S G D-Pak IRFR812TRPbF Max. ID @ TC = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V ID Units 3.6 ID @ TC = 100°C Continuous Drain Current, VGS @ 10V c 2.3 Pulsed Drain Current 14.4 78 W Linear Derating Factor Gate-to-Source Voltage 0.63 ± 20 W/°C V 32 -55 to + 150 V/ns IDM PD @TC = 25°C Power Dissipation VGS e dv/dt TJ Peak Diode Recovery dv/dt TSTG Storage Temperature Range Operating Junction and °C Soldering Temperature, for 10 seconds 300 (1.6mm from case ) 10lb in (1.1N m) x Mounting torque, 6-32 or M3 screw Diode Characteristics Symbol Parameter A x Min. Typ. Max. Units Continuous Source Current ––– ––– ISM (Body Diode) Pulsed Source Current ––– ––– 14.4 showing the integral reverse VSD (Body Diode) Diode Forward Voltage ––– ––– 1.2 V p-n junction diode. TJ = 25°C, IS = 3.6A, VGS = 0V trr Reverse Recovery Time ––– 75 110 ns TJ = 25°C, IF = 3.6A Qrr Reverse Recovery Charge ––– ––– 94 135 140 200 nC TJ = 125°C, di/dt = 100A/μs TJ = 25°C, IS = 3.6A, VGS = 0V f IRRM Reverse Recovery Current ––– ––– 220 3.2 330 4.8 A TJ = 125°C, di/dt = 100A/μs TJ = 25°C, IS = 3.6A, VGS = 0V f c 3.6 Conditions IS MOSFET symbol A D G f f S f di/dt = 100A/μs ton Forward Turn-On Time Notes  through ‡ are on page 2 www.irf.com Intrinsic turn-on time is negligible (turn-on is dominated by LS+LD) 1 4/10/12 PDF
Документация на серию IRFR812PBF 

IRFR812PbF Product Data Sheet

Дата модификации: 11.04.2012

Размер: 223.1 Кб

9 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    07 декабря 2012
    новость

    Новые 500V MOSFET с низким зарядом затвора от IR

    IRFB812, IRFR812 и IRFR825 – новые 500–вольтовые MOSFET транзисторы от компании International Rectifier (IR), доступные в стандартных корпусах TO–220 и D–PAK. При производстве новых транзисторов особое внимание уделено... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.