IRFTS8342TRPBF

MOSFET N-CH 30V 8.2A 6TSOP
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TSOP-6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание 30V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a TSOP-6 (Micro 6) package
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 20

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
P+ IRLMS1503TRPBF (INFIN) SOT236 в ленте 3000 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF8707TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ SIS412DN-T1-GE3 (VISHAY) POWERPAK12128 в ленте 3000 шт
 
A+ NTMFS4835NT1G (ONS) SO-8 SOIC8 1 шт
 
A+ IRFH3707TRPBF (INFIN) PQFN8 4000 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRFH3702TRPBF (INFIN) QFN-8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF8721PBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF8714TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ CSD17571Q2 (TI) WDFN-6 3000 шт
 
30V N-Channel NexFET Power MOSFETs, CSD17571Q2
A+ IRF7821TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13.6A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7828TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт Полевой транзистор.
30V. 13.6A. HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7809AVTRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7809AVPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7807TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 4000 шт MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7470TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7470PBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7413ZTRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF6604 (INFIN) DIRECTFETMQ 1 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRL6342TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
A+ SUD50N04-8m8P-4GE3 (VISHAY) TO252 1 шт MOSFET N-CH 40V 14A TO-252

Файлы 2

показать свернуть

    Публикации 2

    показать свернуть
    20 сентября 2013
    новость

    Эффективные P-канальные 30 В MOSFET от IR

    Несмотря на то, что P–канальные транзисторы распространены гораздо меньше, чем их N–канальные собратья (этим, в частности, обуславливается относительная немногочисленность их номенклатуры), они находят свое применение в системах... ...читать

    13 июня 2012
    новость

    Новые низковольтные HEXFET транзисторы от IR

    Компания International Rectifier представила семейство низковольтных полевых транзисторов, выполненных по запатентованной технологии HEXFET. Главной особенностью данной линейки MOSFET является низкое сопротивление открытого канала Rси(откр),... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.