IRG7PH46UDPBF

IGBT 1200V 40A 390W TO247AC
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO247AC
Напряжение К-Э максимальное
Ток коллектора максимальный при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Время включения
Время выключения
Время восстановления диода
Максимальная мощность
Заряд затвора
Тип входа
Тип
Примечание IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i UКЭ макс IК UКЭ нас t вкл t выкл Диод tвосст Мощность Заряд затвора Вход Тип Примечание Карточка
товара
A- STGW40H120F2 (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A- IHW15N120R3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IRGPS60B120KDP (INFIN) TO247AA в линейках 25 шт IGBT 1200V 105A 595W SUPER247 IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
A- IRG7PK35UD1PbF (INFIN) TO-247-3 в линейках 400 шт IGBT 1400V 40A 167W TO247AC 1400V Co-Pack IGBT Gen7 20A TO-247
A- IRG7PH50UPBF (INFIN) TO247AC в линейках 400 шт IGBT 1200V 140A 556W TO247AC IGBT Discretes, switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
A- IRG7PH42UPBF (INFIN) TO247AC в линейках 400 шт IGBT 1200V 90A 385W TO247AC IGBT Discretes, switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
A- IRG7PH42UDPBF (INFIN) TO-247-3 в линейках 25 шт IGBT 1200V 85A 320W TO247AC IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
A- IRG7PH42U-EP (INFIN) TO-247-3 в линейках 400 шт IGBT 1200V 90A 385W TO247AD IGBT Discretes, switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
A- IRG4PSH71UDPBF (INFIN) TO274AA в линейках 25 шт IGBT 1200V 99A 350W SUPER247 IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
A- IRG4PH50SPBF (INFIN) TO247AC в линейках 25 шт IGBT 1200V 57A 200W TO247AC IGBT Discretes, Hard switching, DC-1 kHz (STANDARD)
A- IKW40T120FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IKW40N120T2FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IKW40N120H3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IKW25T120FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 1200V 50A 190W TO247-3
A- IKW15N120H3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IKQ75N120CH3XKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A- IKQ50N120CH3XKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A- IKQ40N120CH3XKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A- IHW30N160R2FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IHW20N135R5XKSA1 (INFIN) TO-247-3 30 шт IGBT 1350V 40A 288W TO247
A- IHW20N120R3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 1200V 40A 310W TO247-3
A- NGTB15N120IHLWG (ONS) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 1200V 30A 156W TO247-3 IGBT 1200V 15A FS1 Induction Heating 
A- NGTB15N120LWG (ONS) TO-247-3 30 шт IGBT 1200V 30A 156W TO247-3
A- NGTB20N120LWG (ONS) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 1200V 40A 192W TO247-3

Файлы 1

показать свернуть
IRG7PH46UDPbF IRG7PH46UD-EP INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE Features • • • • • • • • Low VCE (ON) trench IGBT technology Low switching losses Square RBSOA 100% of the parts tested for ILM  Positive VCE (ON) temperature co-efficient Ultra fast soft recovery co-pak diode Tight parameter distribution Lead-Free C VCES = 1200V I NOMINAL = 40A TJ(max) = 150°C G n-channel Benefits • High efficiency in a wide range of applications • Suitable for a wide range of switching frequencies due to low VCE (ON) and low switching losses • Rugged transient performance for increased reliability • Excellent current sharing in parallel operation C Applications • • • • VCE(on) typ. = 1.7V E C GC U.P.S. Welding Solar Inverter Induction Heating E E GC TO-247AD IRG7PH46UD-EP TO-247AC IRG7PH46UDPbF G Gate C Collector E Emitter Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units Collector-to-Emitter Voltage 1200 V Continuous Collector Current (Silicon Limited) 108 V CES IC @ TC = 25°C IC @ TC = 100°C Continuous Collector Current (Silicon Limited) 57 INOMINAL ICM Nominal Current 40 Pulse Collector Current, VGE = 20V 160 ILM Clamped Inductive Load Current, VGE = 20V IF @ TC = 25°C Diode Continous Forward Current IF @ TC = 100°C IFM Diode Continous Forward Current Diode Maximum Forward Current d 160 V GE Continuous Gate-to-Emitter Voltage ±30 V PD @ TC = 25°C Maximum Power Dissipation 390 W PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation TJ Operating Junction and TST G Storage Temperature Range c A 160 108 57 156 -55 to +150 °C Soldering Temperature, for 10 sec. 300 (0.063 in. (1.6mm) from case) Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw 10 lbf·in (1.1 N·m) Thermal Resistance Parameter Min. Typ. Max. ––– ––– 0.32 ––– ––– 0.66 RJC (Diode) f Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode) f RCS Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface) ––– 0.24 ––– RJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount) ––– 40 ––– RJC (IGBT) 1 Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT) www.irf.com © 2013 International Rectifier Units °C/W July 17, 2013 PDF
Документация на серию IRG7PH46UDPBF 

IRG7PH46UDPbF/EP

Дата модификации: 20.07.2013

Размер: 334.4 Кб

11 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    01 октября 2018
    статья

    Основные параметры и аспекты применения дискретных IGBT

    Инструкция по особенностям практического применения дискретных транзисторов IGBT с экскурсом в основы теории и результатами практических испытаний для трех моделей IGBT производства Infineon: IRG7PC35SD для резонансных приложений с мягкими... ...читать

    23 января 2012
    новость

    Сверхбыстрые 1200V IGBT 7-го поколения от International Rectifier

    В конце 2011 года компания International Rectifier выпустила на мировой рынок новую линейку надежных и эффективных IGBT 1200 В, предназначенных для широкого круга приложений: индукционных нагревателей, сварочных аппаратов, высокомощных... ...читать

    21 декабря 2011
    статья

    Седьмое поколение IGBT от IR: снизим потери при переключении

    Основной вопрос, который возникает у разработчиков, не применявших ранее IGBT – в каком случае применять их, а где стоит использовать классические MOSFET. Для того, чтобы разобраться в этом вопросе, необходимо провести аналогию между... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.