IRG7PH50UPBF

IGBT 1200V 140A 556W TO247AC
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO247AC
Напряжение К-Э максимальное
Ток коллектора максимальный при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Время включения
Время выключения
Максимальная мощность
Заряд затвора
Тип входа
Тип
Примечание IGBT Discretes, switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i UКЭ макс IК UКЭ нас t вкл t выкл Диод tвосст Мощность Заряд затвора Вход Тип Примечание Карточка
товара
A- STGW40H120F2 (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A- STGW30NC120HD (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 1200V 60A 220W TO247 IGBT, N 1200V 30A TO-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Voltage Vces:2.75V; Power Dissipation Pd:220W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; ;RoHS Compliant: Yes
A- IKW40T120FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IRGPS60B120KDP (INFIN) TO247AA в линейках 25 шт IGBT 1200V 105A 595W SUPER247 IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
A- IRG7PK35UD1PbF (INFIN) TO-247-3 в линейках 400 шт IGBT 1400V 40A 167W TO247AC 1400V Co-Pack IGBT Gen7 20A TO-247
A- IRG7PH46UDPBF (INFIN) TO247AC в линейках 400 шт IGBT 1200V 40A 390W TO247AC IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
A- IRG7PH42UPBF (INFIN) TO247AC в линейках 400 шт IGBT 1200V 90A 385W TO247AC IGBT Discretes, switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
A- IRG7PH42UDPBF (INFIN) TO-247-3 в линейках 25 шт IGBT 1200V 85A 320W TO247AC IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
A- IRG7PH42U-EP (INFIN) TO-247-3 в линейках 400 шт IGBT 1200V 90A 385W TO247AD IGBT Discretes, switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
A- IRG4PSH71UDPBF (INFIN) TO274AA в линейках 25 шт IGBT 1200V 99A 350W SUPER247 IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
A- IRG4PH50SPBF (INFIN) TO247AC в линейках 25 шт IGBT 1200V 57A 200W TO247AC IGBT Discretes, Hard switching, DC-1 kHz (STANDARD)
A- IKW40N120T2FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IKW40N120H3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IKW25T120FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 1200V 50A 190W TO247-3
A- IKW15N120H3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IKQ75N120CH3XKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A- IKQ50N120CH3XKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A- IKQ40N120CH3XKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A- IHW30N160R2FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IHW20N135R5XKSA1 (INFIN) TO-247-3 30 шт IGBT 1350V 40A 288W TO247
A- IHW20N120R3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 1200V 40A 310W TO247-3
A- IHW15N120R3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- NGTB15N120IHLWG (ONS) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 1200V 30A 156W TO247-3 IGBT 1200V 15A FS1 Induction Heating 
A- NGTB15N120LWG (ONS) TO-247-3 30 шт IGBT 1200V 30A 156W TO247-3

Файлы 1

показать свернуть
PD - 97549 IRG7PH50UPbF IRG7PH50U-EP INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • • • • • • • • C Low VCE (ON) trench IGBT technology Low switching losses Maximum junction temperature 175 °C Square RBSOA 100% of the parts tested for ILM Positive VCE (ON) temperature co-efficient Tight parameter distribution Lead -Free VCES = 1200V IC = 90A, TC = 100°C G TJ(max) =175°C E VCE(on) typ. = 1.7V n-channel Benefits • High efficiency in a wide range of applications • Suitable for a wide range of switching frequencies due to low VCE (ON) and low switching losses • Rugged transient performance for increased reliability • Excellent current sharing in parallel operation C C GC Applications • • • • E TO-247AC IRG7PH50UPbF U.P.S Welding Solar inverter Induction heating G Gate E GC TO-247AD IRG7PH50U-EP C Collector E Emitter Absolute Maximum Ratings Max. Units VCES Collector-to-Emitter Voltage Parameter 1200 V IC @ TC = 25°C Continuous Collector Current (Silicon Limited) 140 IC @ TC = 100°C Continuous Collector Current (Silicon Limited) 90 INOMINAL ICM Nominal Current Pulse Collector Current, VGE = 15V 150 A 50 c ILM Clamped Inductive Load Current, VGE = 20V VGE Continuous Gate-to-Emitter Voltage ±30 PD @ TC = 25°C Maximum Power Dissipation 556 PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation 278 TJ Operating Junction and TSTG Storage Temperature Range 200 V W -55 to +175 °C Soldering Temperature, for 10 sec. 300 (0.063 in. (1.6mm) from case) Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw 10 lbf·in (1.1 N·m) Thermal Resistance Parameter f RθJC (IGBT) Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT) TO-247AC RθCS Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface) RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount) 1 f Min. Typ. Max. ––– ––– 0.27 ––– 0.24 ––– ––– 40 ––– Units °C/W www.irf.com 07/28/2010 PDF
Документация на серию IRG7PH50UPBF 

IRG7PH50UPbF_EP.pmd

Дата модификации: 28.07.2010

Размер: 360.9 Кб

10 стр.

    Публикации 3

    показать свернуть
    04 июня 2014
    новость

    Самые мощные IGBT для промышленного применения от IR

    Большинство систем промышленного назначения – электропривод, системы питания, индукционный нагрев, сварочные аппараты и др. – должны обеспечивать высокие (десятки кВт) выходные мощности, работать в жестких температурных условиях и обладать... ...читать

    23 января 2012
    новость

    Сверхбыстрые 1200V IGBT 7-го поколения от International Rectifier

    В конце 2011 года компания International Rectifier выпустила на мировой рынок новую линейку надежных и эффективных IGBT 1200 В, предназначенных для широкого круга приложений: индукционных нагревателей, сварочных аппаратов, высокомощных... ...читать

    21 декабря 2011
    статья

    Седьмое поколение IGBT от IR: снизим потери при переключении

    Основной вопрос, который возникает у разработчиков, не применявших ранее IGBT – в каком случае применять их, а где стоит использовать классические MOSFET. Для того, чтобы разобраться в этом вопросе, необходимо провести аналогию между... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.