IRG7PK35UD1PbF

 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO-247-3
Напряжение К-Э максимальное
Ток коллектора максимальный при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Время выключения
Максимальная мощность
Заряд затвора
Тип входа
Примечание 1400V Co-Pack IGBT Gen7 20A TO-247
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i UКЭ макс IК UКЭ нас t вкл t выкл Диод tвосст Мощность Заряд затвора Вход Тип Примечание Карточка
товара
A- IHW30N160R2FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- STGWT38IH130D (ST) TO-3 TO-3P IGBT 1300V 63A 250W TO3P
A- STGW38IH130D (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 1300V 63A 250W TO247
A- SIGC68T170R3EX1SA1 (INFIN) 1 шт
 
A- SIGC42T170R3GEX1SA2 (INFIN) 1 шт
 
A- SIGC186T170R3EX1SA4 (INFIN) 1 шт
 
A- SIGC158T170R3EX1SA3 (INFIN) 1 шт
 
A- SIGC128T170R3EX1SA1 (INFIN) 1 шт
 
A- SIGC101T170R3EX1SA2 (INFIN) 1 шт
 
A- IHW30N160R2 (INFIN) TO-247-3 в линейках 240 шт IGBT 1600V 60A 312W TO247-3
A- IRG7PK35UD1-EPBF (INFIN) TO-247-3 IGBT 1400V 40A 167W TO247AD
A- IHW20N135R5XKSA1 (INFIN) TO-247-3 30 шт IGBT 1350V 40A 288W TO247
A- IHW20N135R3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 30 шт IGBT 1350V 20A 310W TO247-3
A- IHW40N135R3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 30 шт IGBT 1350V 80A 429W TO247-3
A- IHW30N135R3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 30 шт IGBT 1350V 60A 349W TO247-3
A- NGTB40N135IHRWG (ONS) TO-247-3 30 шт IGBT 1350V 80A 394W TO247
A- NGTB30N135IHRWG (ONS) TO-247-3 30 шт IGBT 1350V 60A 394W TO247
A- NGTB30N135IHR1WG (ONS) TO-247-3 IGBT 1350V 30A TO247
A- NGTB20N135IHRWG (ONS) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 1350V 40A 394W TO247
A- NGTB15N135IHRWG (ONS) TO-247-3 30 шт IGBT 1350V 15A TO247-3
A- IXBH16N170 (IXYS) TO-247-3 в линейках 60 шт
 
A- IXYL60N450 (IXYS) ISOPLUSi5-Pak
 
A- AOK30B135W1 (AOS) TO-247-3
 
A- AOK20B135E1 (AOS) TO-247-3
 

Файлы 2

показать свернуть
IRG7PK35UD1PbF IRG7PK35UD1-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 1400V C C C IC = 20A, TC =100°C TJ(max) = 150°C G G VCE(ON) typ. = 2.0V @ IC = 20A E n-channel Applications  Induction heating  Microwave ovens  Soft switching applications C E G IRG7PK35UD1PbF TO‐247AC G Gate IRG7PK35UD1‐EPbF TO‐247AD C Collector Features E C E Emitter Benefits Low VCE(ON), ultra-low VF, and turn-off soft switching losses High efficiency in a wide range of soft switching applications and switching frequencies Positive VCE (ON) temperature coefficient and tight distribution of parameters Excellent current sharing in parallel operation Lead-free, RoHS compliant Environmentally friendly Base part number Package Type IRG7PK35UD1PbF IRG7PK35UD1-EPbF TO-247AC TO-247AD Standard Pack Form Quantity Tube 25 Tube 25 Orderable Part Number IRG7PK35UD1PbF IRG7PK35UD1-EPbF Absolute Maximum Ratings Parameter VCES IC @ TC = 25°C IC @ TC = 100°C ICM ILM IF @ TC = 25°C IF @ TC = 100°C VGE PD @ TC = 25°C PD @ TC = 100°C TJ TSTG Collector-to-Emitter Voltage Continuous Collector Current Continuous Collector Current Pulse Collector Current, VGE = 15V  Clamped Inductive Load Current, VGE = 20V  Diode Continuous Forward Current Diode Continuous Forward Current Continuous Gate-to-Emitter Voltage Maximum Power Dissipation Maximum Power Dissipation Operating Junction and Storage Temperature Range Soldering Temperature, for 10 sec. Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw Max. Units 1400 40 20 200 80 40 20 ±30 167 67 -40 to +150 V A V W 300 (0.063 in. (1.6mm) from case) 10 lbf·in (1.1 N·m) C Thermal Resistance RJC (IGBT) RJC (Diode) RCS RJA 1 Parameter Thermal Resistance Junction-to-Case (IGBT)  Thermal Resistance Junction-to-Case (Diode)  Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface) Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount) www.irf.com © 2014 International Rectifier Min. ––– ––– ––– ––– Submit Datasheet Feedback Typ. ––– ––– 0.24 40 Max. 0.75 1.4 ––– ––– Units °C/W February 27, 2014 PDF
Документация на серию IRG7PK35UD1PBF 

Keywords: IRG7PK35UD1PbF, IRG7PK35UD1-EPbF

Дата модификации: 06.03.2014

Размер: 527.7 Кб

10 стр.

IRG7PK35UD1PbF IRG7PK35UD1-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 1400V C G G IC = 20A, TC =100°C TJ(max) = 150°C VCE(ON) typ. = 2.0V @ IC = 20A E n-channel Applications  Induction heating  Microwave ovens  Soft switching applications E C G E C G G IRG7PK35UD1PbF TO‐247AC G Gate IRG7PK35UD1‐EPbF TO‐247AD C Collector Features E Emitter Benefits Low VCE(ON), ultra-low VF, and turn-off soft switching losses High efficiency in a wide range of soft switching applications and switching frequencies Positive VCE (ON) temperature coefficient and tight distribution of parameters Excellent current sharing in parallel operation Lead-free, RoHS compliant Environmentally friendly Base part number Package Type IRG7PK35UD1PbF IRG7PK35UD1-EPbF TO-247AC TO-247AD Standard Pack Form Quantity Tube 25 Tube 25 Orderable Part Number IRG7PK35UD1PbF IRG7PK35UD1-EPbF Absolute Maximum Ratings Parameter VCES IC @ TC = 25°C IC @ TC = 100°C ICM ILM IF @ TC = 25°C IF @ TC = 100°C VGE PD @ TC = 25°C PD @ TC = 100°C TJ TSTG Collector-to-Emitter Voltage Continuous Collector Current Continuous Collector Current Pulse Collector Current, VGE = 15V  Clamped Inductive Load Current, VGE = 20V  Diode Continuous Forward Current Diode Continuous Forward Current Continuous Gate-to-Emitter Voltage Maximum Power Dissipation Maximum Power Dissipation Operating Junction and Storage Temperature Range Soldering Temperature, for 10 sec. Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw Max. Units 1400 40 20 200 80 40 20 ±30 167 67 -40 to +150 V A V W 300 (0.063 in. (1.6mm) from case) 10 lbf·in (1.1 N·m) C Thermal Resistance RJC (IGBT) RJC (Diode) RCS RJA 1 Parameter Thermal Resistance Junction-to-Case (IGBT)  Thermal Resistance Junction-to-Case (Diode)  Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface) Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount) www.irf.com © 2014 International Rectifier Min. ––– ––– ––– ––– Submit Datasheet Feedback Typ. ––– ––– 0.24 40 Max. 0.75 1.4 ––– ––– Units °C/W January 24, 2014 PDF
Документация на IRG7PK35UD1PbF 

Keywords: IRG7PK35UD1PbF, IRG7PK35UD1-EPbF

Дата модификации: 05.02.2014

Размер: 503.1 Кб

10 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    20 ноября 2014
    статья

    Транзисторы-2014: Новые серии MOSFET от International Rectifier

    Мировой рынок полевых транзисторов (MOSFET) в 2013 году оценивался в 6 миллиардов долларов, что побуждает практически всех производителей на рынке электронных компонентов стараться откусить свой «кусок пирога». Компания International Rectifier... ...читать

    18 апреля 2014
    новость

    IRG7PK35UD1 – 1400V IGBT для преобразователей с мягким переключением

    Компания International Rectifier представила рынку свой первый 1400 В IGBT транзистор с рабочей частотой до 30 кГц, оптимизированный для систем с режимом «мягкой коммутации» силовых ключей, в том числе, систем индукционного нагрева. Транзистор... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.