IRG7PSH73K10PBF

IGBT 1200V, 130A@100C, 2.3Vce max, Etot=12.3mJ max
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO274AA
Напряжение К-Э максимальное
Ток коллектора максимальный при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Время включения
Время выключения
Максимальная мощность
Заряд затвора
Тип входа
Тип
Примечание IGBT Discretes, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i UКЭ макс IК UКЭ нас t вкл t выкл Диод tвосст Мощность Заряд затвора Вход Тип Примечание Карточка
товара
A- STGW40H120F2 (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A- STGW30NC120HD (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 1200V 60A 220W TO247 IGBT, N 1200V 30A TO-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Voltage Vces:2.75V; Power Dissipation Pd:220W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; ;RoHS Compliant: Yes
A- IKW40T120FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IRGPS60B120KDP (INFIN) TO247AA в линейках 25 шт IGBT 1200V 105A 595W SUPER247 IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
A- IRG7PK35UD1PbF (INFIN) TO-247-3 в линейках 400 шт IGBT 1400V 40A 167W TO247AC 1400V Co-Pack IGBT Gen7 20A TO-247
A- IRG7PH50UPBF (INFIN) TO247AC в линейках 400 шт IGBT 1200V 140A 556W TO247AC IGBT Discretes, switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
A- IRG7PH46UDPBF (INFIN) TO247AC в линейках 400 шт IGBT 1200V 40A 390W TO247AC IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
A- IRG7PH42UPBF (INFIN) TO247AC в линейках 400 шт IGBT 1200V 90A 385W TO247AC IGBT Discretes, switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
A- IRG7PH42UDPBF (INFIN) TO-247-3 в линейках 25 шт IGBT 1200V 85A 320W TO247AC IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
A- IRG7PH42U-EP (INFIN) TO-247-3 в линейках 400 шт IGBT 1200V 90A 385W TO247AD IGBT Discretes, switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
A- IRG4PSH71UDPBF (INFIN) TO274AA в линейках 25 шт IGBT 1200V 99A 350W SUPER247 IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
A- IRG4PH50SPBF (INFIN) TO247AC в линейках 25 шт IGBT 1200V 57A 200W TO247AC IGBT Discretes, Hard switching, DC-1 kHz (STANDARD)
A- IRG4PH40UDPBF (INFIN) TO247AC в линейках 25 шт IGBT 1200V 41A 160W TO247AC IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
A- IRG4PH40KDPBF (INFIN) TO-247-3 в линейках 25 шт IGBT 1200V 30A 160W TO247AC IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
A- IKW40N120T2FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IKW40N120H3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IKW25T120FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 1200V 50A 190W TO247-3
A- IKW15N120H3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IKQ75N120CH3XKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A- IKQ50N120CH3XKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A- IKQ40N120CH3XKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A- IHW30N160R2FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IHW20N135R5XKSA1 (INFIN) TO-247-3 30 шт IGBT 1350V 40A 288W TO247
A- IHW20N120R3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 1200V 40A 310W TO247-3
A- IHW15N120R3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт

Файлы 1

показать свернуть
PD - 97406A IRG7PSH73K10PbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Features • • • • • • • • • VCES = 1200V C Low VCE (ON) Trench IGBT Technology Low Switching Losses Maximum Junction Temperature 175 °C 10 μS short Circuit SOA Square RBSOA 100% of The Parts Tested for ILM Positive VCE (ON) Temperature Coefficient Tight Parameter Distribution Lead Free Package IC(Nominal) = 75A tSC ≥ 10μs, TJ(max) =175°C G E VCE(on) typ. = 2.0V n-channel C E C G Benefits • High Efficiency in a Wide Range of Applications • Suitable for a Wide Range of Switching Frequencies due to Low VCE (ON) and Low Switching Losses • Rugged Transient Performance for Increased Reliability • Excellent Current Sharing in Parallel Operation Super-247 G G a te C C o lle c to r E E m itte r Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units V Continuous Collector Current 1200 220 IC @ TC = 100°C Continuous Collector Current 130 INOMINAL Nominal Current 75 ICM Pulse Collector Current, VGE=15V 225 VCES Collector-to-Emitter Voltage IC @ TC = 25°C c d ILM Clamped Inductive Load Current, VGE=20V VGE Continuous Gate-to-Emitter Voltage PD @ TC = 25°C Maximum Power Dissipation 1150 PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation 580 TJ Operating Junction and TSTG Storage Temperature Range A 300 V ±30 W -55 to +175 °C Soldering Temperature, for 10 sec. 300 (0.063 in. (1.6mm) from case) Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw 10 lbf·in (1.1 N·m) Thermal Resistance Parameter g RθJC (IGBT) Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT) RθCS Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface) RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount) 1 g Min. Typ. Max. ––– ––– 0.13 ––– 0.24 ––– ––– 40 ––– Units °C/W www.irf.com 9/8/10 PDF
Документация на серию IRG7PSH73K10 

IRG7PSH73K10PbF.pmd

Дата модификации: 09.09.2010

Размер: 388.3 Кб

9 стр.

    Публикации 4

    показать свернуть
    04 июня 2014
    новость

    Самые мощные IGBT для промышленного применения от IR

    Большинство систем промышленного назначения – электропривод, системы питания, индукционный нагрев, сварочные аппараты и др. – должны обеспечивать высокие (десятки кВт) выходные мощности, работать в жестких температурных условиях и обладать... ...читать

    18 июня 2013
    новость

    Новые 1200V IGBT с защитой от короткого замыкания

    Компания International Rectifier представила семейство высоконадежных сверхбыстрых 1200 В IGBT, оптимизированных для задач управления промышленными двигателями и построения систем бесперебойного питания. Новые IGBT изготовлены с применением... ...читать

    20 февраля 2013
    новость

    IRG7PSH73K10 - мощный 1200V IGBT с защитой от КЗ

    IRG7PSH73K10PBF – сверхмощный IGBT от International Rectifier, выполненный по кремниевой технологии IGBT Gen7 и обеспечивающий максимальный рабочий ток 130 А при температуре кристалла 100°С. Транзистор рассчитан на напряжение... ...читать

    27 октября 2009
    статья

    Транзисторы Trench IGBT компании International Rectifier для промышленных применений

        Trench IGBT шестого поколения (на 600 В) и седьмого поколения (на 1200 В) компании International Rectifier – это более высокие технические характеристики в сочетании с привлекательными ценами.... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.