IRGP4266DPBF

IGBT 650V 140A 455W TO247AC
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO247AC
Напряжение К-Э максимальное
Ток коллектора максимальный при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Время включения
Время выключения
Время восстановления диода
Максимальная мощность
Заряд затвора
Тип входа
Примечание 600V Co-Pack IGBT, 90A@100C, TO-247
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i UКЭ макс IК UКЭ нас t вкл t выкл Диод tвосст Мощность Заряд затвора Вход Тип Примечание Карточка
товара
A- STGF14NC60KD (ST) TO220FP в линейках 50 шт
 
N-CHANNEL POWERMESH IGBT WITH DIODE
A- STGW60V60DF (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 80A 375W TO247
A- STGW45HF60WD (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 70A 250W TO247
A- STGW40V60DF (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 80A 283W TO247
A- STGW40H120F2 (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A- STGW39NC60VD (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 80A 250W TO247
A- STGW30NC60WD (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 60A 200W TO247
A- STGW30NC120HD (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 1200V 60A 220W TO247 IGBT, N 1200V 30A TO-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Voltage Vces:2.75V; Power Dissipation Pd:220W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; ;RoHS Compliant: Yes
A- STGP7NC60HD (ST) TO220AB в линейках 50 шт
 
A- STGP19NC60HD (ST) TO220AB в линейках 50 шт IGBT 600V 40A 130W TO220
A- STGP14NC60KD (ST) TO220AB в линейках 50 шт IGBT 600V 25A 80W TO220
A- STGP10NC60KD (ST) TO220AB в линейках 50 шт
 
A- STGP10NC60HD (ST) TO220AB в линейках 50 шт IGBT 600V 20A 65W TO220
A- STGF20NB60S (ST) TO220FP в линейках 50 шт IGBT 600V 24A 40W TO220FP
A- STGF19NC60HD (ST) TO220FP в линейках 50 шт IGBT 600V 16A 32W TO220FP
A- STGD3NB60SDT4 (ST) TO252 в ленте 2500 шт IGBT 600V 6A 48W DPAK
A- STGP20NC60V (ST) TO220AB в линейках 50 шт IGBT 600V 60A 200W TO220
A- AUIRGP50B60PD1 (INFIN) TO247AC в линейках 25 шт IGBT 600V 75A 390W TO247AC IGBT Automotive, Hard switching, WARP 30-150 kHz
A- IHW30N160R2FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IHW20N135R5XKSA1 (INFIN) TO-247-3 30 шт IGBT 1350V 40A 288W TO247
A- IHW20N120R3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 1200V 40A 310W TO247-3
A- IHW15N120R3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IGW50N60H3 (INFIN) TO-247-3 1 шт
A- IGB30N60H3ATMA1 (INFIN) TO263 1000 шт IGBT 600V 60A 187W TO263-3
A- AUIRGS4062D1 (INFIN) TO263 в линейках 50 шт
 
IGBT Automotive, Soft switching, ULTRAFAST 8-30 kHz

Файлы 2

показать свернуть
IRGP4266DPbF IRGP4266D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 650V C IC = 90A, TC =100°C tSC 5.5µs, TJ(max) = 175°C G VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 75A G E E G G Gate C Collector Features C E IRGP4266D-EPbF TO-247AD IRGP4266DPbF TO-247AC n-channel Applications  Industrial Motor Drive  UPS  Solar Inverters  Welding C E Emitter Benefits Low VCE(ON) and Switching Losses 5.5µs Short Circuit SOA Square RBSOA Maximum Junction Temperature 175°C Positive VCE (ON) Temperature Co-efficient Base part number Package Type IRGP4266DPbF IRGP4266D-EPbF TO-247AC TO-247AD High Efficiency in a Wide Range of Applications Rugged Transient Performance Increased Reliability Excellent Current Sharing in Parallel Operation Standard Pack Form Quantity Tube 25 Tube 25 Orderable Part Number IRGP4266DPbF IRGP4266D-EPbF Absolute Maximum Ratings Parameter VCES IC @ TC = 25°C IC @ TC = 100°C ICM ILM IF @ TC = 25°C IF @ TC = 100°C VGE PD @ TC = 25°C PD @ TC = 100°C TJ TSTG Collector-to-Emitter Voltage Continuous Collector Current Continuous Collector Current Pulse Collector Current, VGE=20V Clamped Inductive Load Current, VGE=20V  Diode Continuous Forward Current Diode Continuous Forward Current Continuous Gate-to-Emitter Voltage Maximum Power Dissipation Maximum Power Dissipation Operating Junction and Storage Temperature Range Soldering Temperature, for 10 sec. Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw Max. Units 650 140 90 300 300 68 42 ±20 455 230 -40 to +175 V A V W 300 (0.063 in. (1.6mm) from case) 10 lbf·in (1.1 N·m) C Thermal Resistance RJC (IGBT) RJC (Diode) RCS RJA 1 Parameter Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT)  Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode)  Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface) Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount) Min. ––– ––– ––– ––– Typ. ––– ––– 0.24 40 Max. 0.33 1.1 ––– ––– Units °C/W 2017-12-18 PDF
Документация на IRGP4266DPBF 

IRGP4266D_EPbF Product Datasheet

Дата модификации: 19.12.2017

Размер: 864.1 Кб

12 стр.

IRGP4266DPbF IRGP4266D-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode VCES = 650V C G G IC = 90A, TC =100°C tSC 5.5µs, TJ(max) = 175°C G C VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 75A C G IRGP4266DPbF TO‐247AC E n-channel Applications  Industrial Motor Drive  UPS  Solar Inverters  Welding E G Gate G IRGP4266D‐EPbF TO‐247AD C Collector Features E E Emitter Benefits Low VCE(ON) and Switching Losses 5.5µs Short Circuit SOA Square RBSOA Maximum Junction Temperature 175°C Positive VCE (ON) Temperature Co-efficient Base part number Package Type IRGP4266DPBF IRGP4266D-EPBF TO-247AC TO-247AD High Efficiency in a Wide Range of Applications Rugged Transient Performance Increased Reliability Excellent Current Sharing in Parallel Operation Standard Pack Form Quantity Tube 25 Tube 25 Orderable Part Number IRGP4266DPBF IRGP4266D-EPBF Absolute Maximum Ratings Parameter VCES IC @ TC = 25°C IC @ TC = 100°C ICM ILM IF @ TC = 25°C IF @ TC = 100°C VGE PD @ TC = 25°C PD @ TC = 100°C TJ TSTG Collector-to-Emitter Voltage Continuous Collector Current Continuous Collector Current Pulse Collector Current, VGE=20V Clamped Inductive Load Current, VGE=20V  Diode Continuous Forward Current Diode Continuous Forward Current Continuous Gate-to-Emitter Voltage Maximum Power Dissipation Maximum Power Dissipation Operating Junction and Storage Temperature Range Soldering Temperature, for 10 sec. Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw Max. Units 650 140 90 300 300 68 42 ±20 455 230 -40 to +175 V A V W 300 (0.063 in. (1.6mm) from case) 10 lbf·in (1.1 N·m) C Thermal Resistance RJC (IGBT) RJC (Diode) RCS RJA 1 Parameter Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT)  Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode)  Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface) Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount) www.irf.com © 2013 International Rectifier Min. ––– ––– ––– ––– Typ. ––– ––– 0.24 40 Max. 0.33 1.1 ––– ––– Units °C/W June 17, 2013 PDF
Документация на серию IRGP4266D 

IRGP4266D_EPbF.pub

Дата модификации: 20.06.2013

Размер: 747.8 Кб

12 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    04 июня 2014
    новость

    Самые мощные IGBT для промышленного применения от IR

    Большинство систем промышленного назначения – электропривод, системы питания, индукционный нагрев, сварочные аппараты и др. – должны обеспечивать высокие (десятки кВт) выходные мощности, работать в жестких температурных условиях и обладать... ...читать

    15 января 2014
    новость

    Новые 650V IGBT для ответственных применений от International Rectifier

    Компания International Rectifier представила новое семейство 650–вольтовых Trench–IGBT транзисторов, которые обеспечивают дополнительный запас прочности систем, работающих в условиях питающего напряжения с высоким уровнем пульсаций.... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.