IRGP4266PBF

IGBT Gen6 650V 140A 1.7Vecon Hard 8-30kHz
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO247AC
Напряжение К-Э максимальное
Ток коллектора максимальный при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Время включения
Время выключения
Максимальная мощность
Заряд затвора
Тип входа
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i UКЭ макс IК UКЭ нас t вкл t выкл Диод tвосст Мощность Заряд затвора Вход Тип Примечание Карточка
товара
A- STGP10NC60KD (ST) TO220AB в линейках 50 шт
 
A- STGW60V60DF (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 80A 375W TO247
A- STGW45HF60WD (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 70A 250W TO247
A- STGW40V60DF (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 80A 283W TO247
A- STGW40H120F2 (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A- STGW39NC60VD (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 80A 250W TO247
A- STGW30NC60WD (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 60A 200W TO247
A- STGW30NC120HD (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 1200V 60A 220W TO247 IGBT, N 1200V 30A TO-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Voltage Vces:2.75V; Power Dissipation Pd:220W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; ;RoHS Compliant: Yes
A- STGP7NC60HD (ST) TO220AB в линейках 50 шт
 
A- STGP19NC60HD (ST) TO220AB в линейках 50 шт IGBT 600V 40A 130W TO220
A- STGP14NC60KD (ST) TO220AB в линейках 50 шт IGBT 600V 25A 80W TO220
A- STGF14NC60KD (ST) TO220FP в линейках 50 шт
 
N-CHANNEL POWERMESH IGBT WITH DIODE
A- STGF20NB60S (ST) TO220FP в линейках 50 шт IGBT 600V 24A 40W TO220FP
A- STGP10NC60HD (ST) TO220AB в линейках 50 шт IGBT 600V 20A 65W TO220
A- STGF19NC60HD (ST) TO220FP в линейках 50 шт IGBT 600V 16A 32W TO220FP
A- STGD3NB60SDT4 (ST) TO252 в ленте 2500 шт IGBT 600V 6A 48W DPAK
A- STGP20NC60V (ST) TO220AB в линейках 50 шт IGBT 600V 60A 200W TO220
A- AUIRGP50B60PD1 (INFIN) TO247AC в линейках 25 шт IGBT 600V 75A 390W TO247AC IGBT Automotive, Hard switching, WARP 30-150 kHz
A- IHW30N160R2FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IHW20N135R5XKSA1 (INFIN) TO-247-3 30 шт IGBT 1350V 40A 288W TO247
A- IHW20N120R3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 1200V 40A 310W TO247-3
A- IHW15N120R3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IGW50N60H3 (INFIN) TO-247-3 1 шт
A- IGB30N60H3ATMA1 (INFIN) TO263 1000 шт IGBT 600V 60A 187W TO263-3
A- AUIRGS4062D1 (INFIN) TO263 в линейках 50 шт
 
IGBT Automotive, Soft switching, ULTRAFAST 8-30 kHz

Файлы 2

показать свернуть
IRGP4266PbF IRGP4266-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor VCES = 650V C IC = 90A, TC =100°C tSC 5.5µs, TJ(max) = 175°C G VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 75A G E G Gate Low VCE(ON) and switching Losses Square RBSOA and Maximum Junction Temperature 175°C Positive VCE (ON) Temperature Coefficient 5.5µs short circuit SOA Lead-Free, RoHS compliant Base part number Package Type IRGP4266PbF IRGP4266-EPbF TO-247AC TO-247AD C G E IRGP4266-EPbF TO-247AD C Collector  Features E IRGP4266PbF TO-247AC n-channel Applications  Industrial Motor Drive  Inverters  UPS  Welding C E Emitter Benefits High efficiency in a wide range of applications and switching frequencies Improved reliability due to rugged hard switching performance and higher power capability Excellent current sharing in parallel operation Enables short circuit protection scheme Environmentally friendly Standard Pack Form Quantity Tube Tube Orderable Part Number 25 25 IRGP4266PbF IRGP4266-EPbF Absolute Maximum Ratings VCES IC @ TC = 25°C IC @ TC = 100°C ICM ILM VGE PD @ TC = 25°C PD @ TC = 100°C TJ TSTG Parameter Collector-to-Emitter Voltage Continuous Collector Current Continuous Collector Current Pulse Collector Current, VGE=20V Clamped Inductive Load Current, VGE=20V  Continuous Gate-to-Emitter Voltage Maximum Power Dissipation Maximum Power Dissipation Operating Junction and Storage Temperature Range Soldering Temperature, for 10 sec. Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw Max. 650 140 90 300 300 ±20 455 230 -40 to +175 Units V A V W 300 (0.063 in. (1.6mm) from case) 10 lbf·in (1.1 N·m) °C Thermal Resistance RJC RCS RJA 1 Parameter Thermal Resistance Junction-to-Case  Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface) Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount) www.irf.com © 2014 International Rectifier Min. ––– ––– ––– Typ. ––– 0.24 40 Submit Datasheet Feedback Max. 0.33 ––– ––– Units °C/W August 22, 2014 PDF
Документация на IRGP4266PBF 

IRGP4266_EPbF Product Datasheet

Дата модификации: 01.09.2014

Размер: 571.5 Кб

11 стр.

IRGP4266PbF IRGP4266-EPbF Insulated Gate Bipolar Transistor VCES = 650V C G G IC = 90A, TC =100°C tSC 5.5µs, TJ(max) = 175°C C G G VCE(ON) typ. = 1.7V @ IC = 75A E IRGP4266PbF TO-247AC n-channel Applications  Industrial Motor Drive  Inverters  UPS  Welding G Gate Low VCE(ON) and switching Losses Square RBSOA and Maximum Junction Temperature 175°C Positive VCE (ON) Temperature Coefficient 5.5µs short circuit SOA Lead-Free, RoHS compliant Base part number Package Type IRGP4266PbF IRGP4266-EPbF TO-247AC TO-247AD C G E IRGP4266-EPbF TO-247AD C Collector  Features E E Emitter Benefits High efficiency in a wide range of applications and switching frequencies Improved reliability due to rugged hard switching performance and higher power capability Excellent current sharing in parallel operation Enables short circuit protection scheme Environmentally friendly Standard Pack Form Quantity Tube Tube 25 25 Orderable Part Number IRGP4266PbF IRGP4266-EPbF Absolute Maximum Ratings VCES IC @ TC = 25°C IC @ TC = 100°C ICM ILM VGE PD @ TC = 25°C PD @ TC = 100°C TJ TSTG Parameter Collector-to-Emitter Voltage Continuous Collector Current Continuous Collector Current Pulse Collector Current, VGE=20V Clamped Inductive Load Current, VGE=20V  Continuous Gate-to-Emitter Voltage Maximum Power Dissipation Maximum Power Dissipation Operating Junction and Storage Temperature Range Soldering Temperature, for 10 sec. Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw Max. 650 140 90 300 300 ±20 450 230 -40 to +175 Units V A V W 300 (0.063 in. (1.6mm) from case) 10 lbf·in (1.1 N·m) °C Thermal Resistance RJC RCS RJA 1 Parameter Thermal Resistance Junction-to-Case  Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface) Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount) www.irf.com © 2012 International Rectifier Min. ––– ––– ––– Typ. ––– 0.24 40 Max. 0.33 ––– ––– Units °C/W December 13, 2012 PDF
Документация на серию IRGP4266 

Дата модификации: 14.01.2013

Размер: 890.3 Кб

11 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    04 июня 2014
    новость

    Самые мощные IGBT для промышленного применения от IR

    Большинство систем промышленного назначения – электропривод, системы питания, индукционный нагрев, сварочные аппараты и др. – должны обеспечивать высокие (десятки кВт) выходные мощности, работать в жестких температурных условиях и обладать... ...читать

    15 января 2014
    новость

    Новые 650V IGBT для ответственных применений от International Rectifier

    Компания International Rectifier представила новое семейство 650–вольтовых Trench–IGBT транзисторов, которые обеспечивают дополнительный запас прочности систем, работающих в условиях питающего напряжения с высоким уровнем пульсаций.... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.