IRGP4690DPBF

IGBT 600V 140A 454W TO247AC
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO247AC
Напряжение К-Э максимальное
Ток коллектора максимальный при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Время включения
Время выключения
Время восстановления диода
Максимальная мощность
Заряд затвора
Тип входа
Примечание 600V Co-Pack IGBT 90A@100C TO-247
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i UКЭ макс IК UКЭ нас t вкл t выкл Диод tвосст Мощность Заряд затвора Вход Тип Примечание Карточка
товара
A- STGF14NC60KD (ST) TO220FP в линейках 50 шт
 
N-CHANNEL POWERMESH IGBT WITH DIODE
A- STGW60V60DF (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 80A 375W TO247
A- STGW45HF60WD (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 70A 250W TO247
A- STGW40V60DF (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 80A 283W TO247
A- STGW40H120F2 (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A- STGW39NC60VD (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 80A 250W TO247
A- STGW30NC60WD (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 60A 200W TO247
A- STGW30NC120HD (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 1200V 60A 220W TO247 IGBT, N 1200V 30A TO-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Voltage Vces:2.75V; Power Dissipation Pd:220W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; ;RoHS Compliant: Yes
A- STGP7NC60HD (ST) TO220AB в линейках 50 шт
 
A- STGP19NC60HD (ST) TO220AB в линейках 50 шт IGBT 600V 40A 130W TO220
A- STGP14NC60KD (ST) TO220AB в линейках 50 шт IGBT 600V 25A 80W TO220
A- STGP10NC60KD (ST) TO220AB в линейках 50 шт
 
A- STGP10NC60HD (ST) TO220AB в линейках 50 шт IGBT 600V 20A 65W TO220
A- STGF20NB60S (ST) TO220FP в линейках 50 шт IGBT 600V 24A 40W TO220FP
A- STGF19NC60HD (ST) TO220FP в линейках 50 шт IGBT 600V 16A 32W TO220FP
A- STGD3NB60SDT4 (ST) TO252 в ленте 2500 шт IGBT 600V 6A 48W DPAK
A- STGP20NC60V (ST) TO220AB в линейках 50 шт IGBT 600V 60A 200W TO220
A- AUIRGP50B60PD1 (INFIN) TO247AC в линейках 25 шт IGBT 600V 75A 390W TO247AC IGBT Automotive, Hard switching, WARP 30-150 kHz
A- IKA08N65ET6XKSA1 (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт
A- IHW30N160R2FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IHW20N120R3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 1200V 40A 310W TO247-3
A- IHW15N120R3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IGW50N60H3 (INFIN) TO-247-3 1 шт
A- IGB30N60H3ATMA1 (INFIN) TO263 1000 шт IGBT 600V 60A 187W TO263-3
A- AUIRGS4062D1 (INFIN) TO263 в линейках 50 шт
 
IGBT Automotive, Soft switching, ULTRAFAST 8-30 kHz

Файлы 2

показать свернуть
IRGP4690DPbF IRGP4690D-EPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE VCES = 600V C IC = 90A, TC = 100°C C C tSC ≥ 5μs, TJ(max) = 175°C G VCE(on) typ. = 1.70V @ IC = 75A GC E E GC TO-247AD IRGP4690D-EP TO-247AC IRGP4690DPbF n-channel Applications • Industrial Motor Drive • Inverters • UPS • Welding E G Gate C Collector Features E Emitter Benefits High efficiency in a wide range of applications and switching frequencies Improved reliability due to rugged hard switching performance and higher power capability Excellent current sharing in parallel operation Enables short circuit protection scheme Environmentally friendly Low VCE(ON) and Switching Losses Square RBSOA and Maximum Junction Temperature 175°C Positive VCE (ON) Temperature Coefficient 5μs short circuit SOA Lead-Free, RoHS compliant Base part number Package Type IRGP4690DPbF IRGP4690D-EPbF TO-247AC TO-247AD Standard Pack Form Quantity Tube 25 Tube 25 Orderable part number IRGP4690DPbF IRGP4690D-EPbF Absolute Maximum Ratings VCES IC @ TC = 25°C IC @ TC = 100°C ICM ILM IF @ TC = 25°C IF @ TC = 100°C IFM VGE PD @ TC = 25°C PD @ TC = 100°C TJ TSTG Parameter Collector-to-Emitter Voltage Continuous Collector Current Continuous Collector Current Pulse Collector Current, VGE = 15V Clamped Inductive Load Current, VGE = 20V Diode Continous Forward Current Diode Continous Forward Current Diode Maximum Forward Current Max. 600 140 90 225 300 70 45 300 ±20 c f Continuous Gate-to-Emitter Voltage Transient Gate-to-Emitter Voltage Maximum Power Dissipation Maximum Power Dissipation Operating Junction and Storage Temperature Range Soldering Temperature, for 10 sec. Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw Units V A V ±30 454 227 -55 to +175 W °C 300 (0.063 in. (1.6mm) from case) 10 lbf·in (1.1 N·m) Thermal Resistance RθJC (IGBT) RθJC (Diode) RθCS RθJA 1 Parameter Junction-to-Case (IGBT) Junction-to-Case (Diode) d d Case-to-Sink (flat, greased surface) Junction-to-Ambient (typical socket mount) www.irf.com © 2014 International Rectifier Min. ––– ––– ––– ––– Typ. ––– ––– 0.24 ––– Submit Datasheet Feedback Max. 0.33 1.0 ––– 40 Units °C/W November 14, 2014 PDF
Документация на IRGP4690DPBF 

IRGP4690D-EPbF Product Datasheet

Дата модификации: 02.12.2014

Размер: 346.1 Кб

12 стр.

IRGP4690DPbF IRGP4690D-EPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE VCES = 600V C IC = 90A, TC = 100°C C C tSC ≥ 5μs, TJ(max) = 175°C G VCE(on) typ. = 1.70V @ IC = 75A E n-channel Applications • Industrial Motor Drive • Inverters • UPS • Welding GC E E GC TO-247AD IRGP4690D-EP TO-247AC IRGP4690DPbF G Gate C Collector Features E Emitter Benefits Low VCE(ON) and Switching Losses Square RBSOA and Maximum Junction Temperature 175°C Positive VCE (ON) Temperature Coefficient 5μs short circuit SOA Lead-Free, RoHS compliant Base part number Package Type IRGP4690DPbF IRGP4690D-EPbF TO-247AC TO-247AD High efficiency in a wide range of applications and switching frequencies Improved reliability due to rugged hard switching performance and higher power capability Excellent current sharing in parallel operation Enables short circuit protection scheme Environmentally friendly Standard Pack Form Quantity Tube 25 Tube 25 Orderable part number IRGP4690DPbF IRGP4690D-EPbF Absolute Maximum Ratings Parameter VCES Max. Units Collector-to-Emitter Voltage 600 V 140 IC @ TC = 25°C Continuous Collector Current IC @ TC = 100°C Continuous Collector Current ICM Pulse Collector Current, VGE = 15V ILM Clamped Inductive Load Current, VGE = 20V IF @ TC = 25°C Diode Continous Forward Current 70 IF @ TC = 100°C Diode Continous Forward Current 45 IFM Diode Maximum Forward Current 300 VGE Continuous Gate-to-Emitter Voltage ±20 Transient Gate-to-Emitter Voltage ±30 e 90 225 c 300 PD @ TC = 25°C Maximum Power Dissipation 454 PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation 227 TJ Operating Junction and TSTG Storage Temperature Range A V W -55 to +175 °C Soldering Temperature, for 10 sec. 300 (0.063 in. (1.6mm) from case) Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw 10 lbf·in (1.1 N·m) Thermal Resistance Parameter Min. Typ. Max. Units ––– ––– 0.33 °C/W ––– ––– 1.0 RθJC (Diode) f Junction-to-Case (Diode) f RθCS Case-to-Sink (flat, greased surface) ––– 0.24 ––– RθJA Junction-to-Ambient (typical socket mount) ––– ––– 40 RθJC (IGBT) 1 Junction-to-Case (IGBT) www.irf.com © 2014 International Rectifier Submit Datasheet Feedback April 25, 2014 PDF
Документация на IRGP4690DPBF 

IRGP4690D-EPbF Product Datasheet

Дата модификации: 25.04.2014

Размер: 342.7 Кб

12 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    04 июня 2014
    новость

    Самые мощные IGBT для промышленного применения от IR

    Большинство систем промышленного назначения – электропривод, системы питания, индукционный нагрев, сварочные аппараты и др. – должны обеспечивать высокие (десятки кВт) выходные мощности, работать в жестких температурных условиях и обладать... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.