IRGPS4067DPBF

IGBT 600V 240A 750W SUPER-247
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO274AA
Напряжение К-Э максимальное
Ток коллектора максимальный при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Время включения
Время выключения
Время восстановления диода
Максимальная мощность
Заряд затвора
Тип входа
Тип
Примечание IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i UКЭ макс IК UКЭ нас t вкл t выкл Диод tвосст Мощность Заряд затвора Вход Тип Примечание Карточка
товара
A- STGF14NC60KD (ST) TO220FP в линейках 50 шт
 
N-CHANNEL POWERMESH IGBT WITH DIODE
A- STGW60V60DF (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 80A 375W TO247
A- STGW45HF60WD (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 70A 250W TO247
A- STGW40V60DF (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 80A 283W TO247
A- STGW40H120F2 (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A- STGW39NC60VD (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 80A 250W TO247
A- STGW30NC60WD (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 60A 200W TO247
A- STGW30NC120HD (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 1200V 60A 220W TO247 IGBT, N 1200V 30A TO-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Voltage Vces:2.75V; Power Dissipation Pd:220W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; ;RoHS Compliant: Yes
A- STGP7NC60HD (ST) TO220AB в линейках 50 шт
 
A- STGP19NC60HD (ST) TO220AB в линейках 50 шт IGBT 600V 40A 130W TO220
A- STGP14NC60KD (ST) TO220AB в линейках 50 шт IGBT 600V 25A 80W TO220
A- STGP10NC60KD (ST) TO220AB в линейках 50 шт
 
A- STGP10NC60HD (ST) TO220AB в линейках 50 шт IGBT 600V 20A 65W TO220
A- STGF20NB60S (ST) TO220FP в линейках 50 шт IGBT 600V 24A 40W TO220FP
A- STGF19NC60HD (ST) TO220FP в линейках 50 шт IGBT 600V 16A 32W TO220FP
A- STGD3NB60SDT4 (ST) TO252 в ленте 2500 шт IGBT 600V 6A 48W DPAK
A- STGP20NC60V (ST) TO220AB в линейках 50 шт IGBT 600V 60A 200W TO220
A- AUIRGP50B60PD1 (INFIN) TO247AC в линейках 25 шт IGBT 600V 75A 390W TO247AC IGBT Automotive, Hard switching, WARP 30-150 kHz
A- IHW30N160R2FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IHW20N135R5XKSA1 (INFIN) TO-247-3 30 шт IGBT 1350V 40A 288W TO247
A- IHW20N120R3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 1200V 40A 310W TO247-3
A- IHW15N120R3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IGW50N60H3 (INFIN) TO-247-3 1 шт
A- IGB30N60H3ATMA1 (INFIN) TO263 1000 шт IGBT 600V 60A 187W TO263-3
A- AUIRGS4062D1 (INFIN) TO263 в линейках 50 шт
 
IGBT Automotive, Soft switching, ULTRAFAST 8-30 kHz

Файлы 1

показать свернуть
IRGPS4067DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE C Features • • • • • • • • • Low VCE (on) Trench IGBT Technology Low Switching Losses 5µs SCSOA Square RBSOA 100% of The Parts Tested for ILM  Positive VCE (on) Temperature Coefficient. Ultra Fast Soft Recovery Co-pak Diode Tighter Distribution of Parameters Lead-Free, RoHS Compliant VCES = 600V IC(Nominal) = 120A tSC ≥ 5µs, TJ(max) = 175°C G VCE(on) typ. = 1.70V E n-channel C Benefits • High Efficiency in a Wide Range of Applications • Suitable for a Wide Range of Switching Frequencies due to Low VCE (ON) and Low Switching Losses • Rugged Transient Performance for Increased Reliability • Excellent Current Sharing in Parallel Operation • Low EMI E C G Super-247 G Gate C Collector E Emitter Absolute Maximum Ratings Parameter Max. Units 600 240 V VCES Collector-to-Emitter Voltage IC @ TC = 25°C Continuous Collector Current IC @ TC = 100°C Continuous Collector Current INOMINAL ICM Nominal Current Pulse Collector Current, VGE = 15V ILM Clamped Inductive Load Current, VGE = 20V IF @ TC = 25°C Diode Continous Forward Current IF @ TC = 100°C IFM Diode Continous Forward Current Diode Maximum Forward Current VGE Continuous Gate-to-Emitter Voltage ±20 Transient Gate-to-Emitter Voltage ±30 PD @ TC = 25°C Maximum Power Dissipation 750 PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation 375 TJ Operating Junction and TSTG Storage Temperature Range g 160g 120 360 c 480 A 240 160 d 480 V W -55 to +175 °C Soldering Temperature, for 10 sec. 300 (0.063 in. (1.6mm) from case) Thermal Resistance Parameter Min. Typ. Max. ––– ––– 0.20 ––– ––– 0.63 RθJC (Diode) f Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode) f RθCS Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface) ––– 0.24 ––– RθJA Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount) ––– ––– 40 RθJC (IGBT) 1 Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT) www.irf.com © 2014 International Rectifier Submit Datasheet Feedback Units °C/W March 27, 2014 PDF
Документация на серию IRGPS4067DPBF 

IRGPS4067DPbF

Дата модификации: 01.04.2014

Размер: 420.1 Кб

10 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    04 июня 2014
    новость

    Самые мощные IGBT для промышленного применения от IR

    Большинство систем промышленного назначения – электропривод, системы питания, индукционный нагрев, сварочные аппараты и др. – должны обеспечивать высокие (десятки кВт) выходные мощности, работать в жестких температурных условиях и обладать... ...читать

    25 июня 2012
    новость

    Семейство надежных IGBT на 600 В от International Rectifier

    Компания International Rectifier представила новую линейку 600–вольтовых IGBT–транзисторов предназначенных для устройств управления двигателями с переменной скоростью вращения и источников питания. Кроме них, в линейку входят два... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.