IRGPS46160DPBF

IGBT 600V 240A 750W SUPER247
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO274AA
Напряжение К-Э максимальное
Ток коллектора максимальный при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Время включения
Время выключения
Время восстановления диода
Максимальная мощность
Заряд затвора
Тип входа
Примечание 600V Co-Pack IGBT 160A@100C TO-274
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i UКЭ макс IК UКЭ нас t вкл t выкл Диод tвосст Мощность Заряд затвора Вход Тип Примечание Карточка
товара
A- STGF14NC60KD (ST) TO220FP в линейках 50 шт
 
N-CHANNEL POWERMESH IGBT WITH DIODE
A- STGW60V60DF (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 80A 375W TO247
A- STGW45HF60WD (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 70A 250W TO247
A- STGW40V60DF (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 80A 283W TO247
A- STGW40H120F2 (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт
 
A- STGW39NC60VD (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 80A 250W TO247
A- STGW30NC60WD (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 60A 200W TO247
A- STGW30NC120HD (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 1200V 60A 220W TO247 IGBT, N 1200V 30A TO-247; Transistor Type:IGBT; DC Collector Current:60A; Collector Emitter Voltage Vces:2.75V; Power Dissipation Pd:220W; Collector Emitter Voltage V(br)ceo:1.2kV; Operating Temperature Range:-55°C to +150°C; ;RoHS Compliant: Yes
A- STGP7NC60HD (ST) TO220AB в линейках 50 шт
 
A- STGP19NC60HD (ST) TO220AB в линейках 50 шт IGBT 600V 40A 130W TO220
A- STGP14NC60KD (ST) TO220AB в линейках 50 шт IGBT 600V 25A 80W TO220
A- STGP10NC60KD (ST) TO220AB в линейках 50 шт
 
A- STGP10NC60HD (ST) TO220AB в линейках 50 шт IGBT 600V 20A 65W TO220
A- STGF20NB60S (ST) TO220FP в линейках 50 шт IGBT 600V 24A 40W TO220FP
A- STGF19NC60HD (ST) TO220FP в линейках 50 шт IGBT 600V 16A 32W TO220FP
A- STGD3NB60SDT4 (ST) TO252 в ленте 2500 шт IGBT 600V 6A 48W DPAK
A- STGP20NC60V (ST) TO220AB в линейках 50 шт IGBT 600V 60A 200W TO220
A- AUIRGP50B60PD1 (INFIN) TO247AC в линейках 25 шт IGBT 600V 75A 390W TO247AC IGBT Automotive, Hard switching, WARP 30-150 kHz
A- IHW30N160R2FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IHW20N135R5XKSA1 (INFIN) TO-247-3 30 шт IGBT 1350V 40A 288W TO247
A- IHW20N120R3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 1200V 40A 310W TO247-3
A- IHW15N120R3FKSA1 (INFIN) TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IGW50N60H3 (INFIN) TO-247-3 1 шт
A- IGB30N60H3ATMA1 (INFIN) TO263 1000 шт IGBT 600V 60A 187W TO263-3
A- AUIRGS4062D1 (INFIN) TO263 в линейках 50 шт
 
IGBT Automotive, Soft switching, ULTRAFAST 8-30 kHz

Файлы 2

показать свернуть
IRGPS46160DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE VCES = 600V C C IC = 160A, TC = 100°C tSC ≥ 5μs, TJ(max) = 175°C E C G G VCE(on) typ. = 1.70V @ IC = 120A E Super-247 n-channel Applications • Industrial Motor Drive • Inverters • UPS • Welding G Gate Features Benefits Square RBSOA and Maximum Junction Temperature 175°C Positive VCE (ON) Temperature Coefficient 5μs short circuit SOA Lead-Free, RoHS compliant Package Type IRGPS46160DPbF Super-247 E Emitter High efficiency in a wide range of applications and switching frequencies Improved reliability due to rugged hard switching performance and higher power capability Excellent current sharing in parallel operation Enables short circuit protection scheme Environmentally friendly Low VCE(ON) and Switching Losses Base part number C Collector Standard Pack Form Quantity Tube 25 Orderable part number IRGPS46160DPbF Absolute Maximum Ratings VCES Parameter Collector-to-Emitter Voltage IC @ TC = 25°C Continuous Collector Current IC @ TC = 100°C ICM Continuous Collector Current Pulse Collector Current, VGE = 15V ILM Clamped Inductive Load Current, VGE = 20V IF @ TC = 25°C Diode Continous Forward Current IF @ TC = 100°C Diode Continous Forward Current Diode Maximum Forward Current IFM Max. 600 240 h 160 360 c 480 240 A h 160h f 480 PD @ TC = 25°C Continuous Gate-to-Emitter Voltage Transient Gate-to-Emitter Voltage Maximum Power Dissipation ±20 ±30 750 PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation 375 TJ Operating Junction and TSTG Storage Temperature Range Soldering Temperature, for 10 sec. Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw VGE Units V V W -55 to +175 °C 300 (0.063 in. (1.6mm) from case) 10 lbf·in (1.1 N·m) Thermal Resistance Parameter Min. ––– Typ. ––– Max. 0.20 ––– ––– 0.63 RθJC (Diode) d Junction-to-Case (Diode) d RθCS Case-to-Sink (flat, greased surface) ––– 0.24 ––– RθJA Junction-to-Ambient (typical socket mount) ––– ––– 40 RθJC (IGBT) 1 Junction-to-Case (IGBT) www.irf.com © 2014 International Rectifier Submit Datasheet Feedback Units °C/W November 14, 2014 PDF
Документация на IRGPS46160DPBF 

IRGPS46160DPbF Product Datasheet

Дата модификации: 02.12.2014

Размер: 321.2 Кб

11 стр.

IRGPS46160DPbF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE VCES = 600V C C IC = 160A, TC = 100°C tSC ≥ 5μs, TJ(max) = 175°C E C G G VCE(on) typ. = 1.70V @ IC = 120A E Super-247 n-channel Applications • Industrial Motor Drive • Inverters • UPS • Welding G Gate Features C Collector E Emitter Benefits Low VCE(ON) and Switching Losses Square RBSOA and Maximum Junction Temperature 175°C Positive VCE (ON) Temperature Coefficient 5μs short circuit SOA Lead-Free, RoHS compliant Base part number Package Type IRGPS46160DPbF Super-247 High efficiency in a wide range of applications and switching frequencies Improved reliability due to rugged hard switching performance and higher power capability Excellent current sharing in parallel operation Enables short circuit protection scheme Environmentally friendly Standard Pack Form Quantity Tube 25 Orderable part number IRGPS46160DPbF Absolute Maximum Ratings Parameter VCES Collector-to-Emitter Voltage IC @ TC = 25°C Continuous Collector Current Max. Units 600 V 240 g IC @ TC = 100°C Continuous Collector Current ICM Pulse Collector Current, VGE = 15V ILM Clamped Inductive Load Current, VGE = 20V IF @ TC = 25°C Diode Continous Forward Current 240 IF @ TC = 100°C Diode Continous Forward Current 160 IFM Diode Maximum Forward Current VGE Continuous Gate-to-Emitter Voltage ±20 Transient Gate-to-Emitter Voltage ±30 Maximum Power Dissipation 750 PD @ TC = 25°C PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation TJ Operating Junction and TSTG Storage Temperature Range 160 360 c 480 d A g g 480 V W 375 -55 to +175 °C Soldering Temperature, for 10 sec. 300 (0.063 in. (1.6mm) from case) Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw 10 lbf·in (1.1 N·m) Thermal Resistance Parameter Min. Typ. Max. Units ––– ––– 0.20 °C/W ––– ––– 0.63 RθJC (Diode) f Junction-to-Case (Diode) f RθCS Case-to-Sink (flat, greased surface) ––– 0.24 ––– RθJA Junction-to-Ambient (typical socket mount) ––– ––– 40 RθJC (IGBT) 1 Junction-to-Case (IGBT) www.irf.com © 2014 International Rectifier Submit Datasheet Feedback April 25, 2014 PDF
Документация на IRGPS46160DPBF 

IRGPS46160DPbF Product Datasheet

Дата модификации: 26.04.2014

Размер: 318.2 Кб

11 стр.

    Публикации 2

    показать свернуть
    19 сентября 2016
    статья

    Infineon – новый лидер рынка IGBT

    После присоединения компании International Rectifier к компании Infineon инновационные серии кремниевых IGBT TRENCHSTOPTM5 и TRENCHSTOPTM Performance от Infineon были дополнены IGBT поколения Gen 6.2 от IR. Компания Infineon при этом заняла... ...читать

    04 июня 2014
    новость

    Самые мощные IGBT для промышленного применения от IR

    Большинство систем промышленного назначения – электропривод, системы питания, индукционный нагрев, сварочные аппараты и др. – должны обеспечивать высокие (десятки кВт) выходные мощности, работать в жестких температурных условиях и обладать... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.