IRL6342TRPBF

MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
  Примечание: Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 30V, 0.0146ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ CSD17552Q5A (TI) SON8 2500 шт
 
30-V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs
A+ WMR13N03T1 (WAYON) DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
A+ SI4368DY-T1-E3 (VISHAY) SOIC-8-3.9 8-SO
 
Small Signal Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
A+ SI4174DY-T1-GE3 (VISHAY) SO-8 SOIC8 1 шт MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
A+ SI4162DY-T1-GE3 (VISHAY) SO-8 SOIC8 100 шт MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 19.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
A+ SI4134DY-T1-GE3 (VISHAY) SO-8 SOIC8 1 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
A+ STL11N4LLF5 (ST) PowerFlat (3.3x3.3)
 
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 40V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STL11N3LLH6 (ST) POWERFLAT 10 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STS14N3LLH5 (ST) SO-8 SOIC8 1 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STS13N3LLH5 (ST) SOIC-8-3.9 8-SO
 
Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ STS11NF30L (ST) SO-8 SOIC8 2500 шт MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ SUD50N04-8m8P-4GE3 (VISHAY) TO252 1 шт MOSFET N-CH 40V 14A TO-252 Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 40V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
A+ NTMFS4835NT1G (ONS) SO-8 SOIC8 1 шт
 
A+ CSD17551Q3A (TI) DFN-8 2500 шт
 
A+ IRFH3702TRPBF (INFIN) QFN-8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF8721PBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF8714TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7828TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт Полевой транзистор.
30V. 13.6A. HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7809AVTRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7809AVPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7413ZTRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF6604 (INFIN) DIRECTFETMQ 1 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ WMS13N03T1 (WAYON) SOP8L в коробках 4000 шт
 
A+ SI4386DY-T1-E3 (VISHAY) SO-8 SOIC8 1 шт MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Файлы 2

показать свернуть

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.