IRL6342TRPBF

Infineon
MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
  Примечание: Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 30V, 0.0146ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ CSD17552Q5A (TI)
 
SON8 2500 шт
 
 30-V, N-Channel NexFET™ Power MOSFETs —
A+ WMR13N03T1 (WAYON)
 
DFN62X2 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — —
A+ SI4368DY-T1-E3 (VISHAY)
 
SOIC-8-3.9 8-SO
 
 — Small Signal Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA —
A+ SI4174DY-T1-GE3 (VISHAY)
 
SO-8 SOIC8 1 шт MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 17A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA —
A+ SI4162DY-T1-GE3 (VISHAY)
 
SO-8 SOIC8 100 шт MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 19.3A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA —
A+ SI4134DY-T1-GE3 (VISHAY)
 
SO-8 SOIC8 1 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA —
A+ STL11N4LLF5 (ST)
 
PowerFlat (3.3x3.3)
 
 — Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 40V, 0.012ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STL11N3LLH6 (ST)
 
POWERFLAT 10 шт
 
 Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.0095ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STS14N3LLH5 (ST)
 
SO-8 SOIC8 1 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC — Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 30V, 0.0077ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STS13N3LLH5 (ST)
 
SOIC-8-3.9 8-SO
 
 Power Field-Effect Transistor, 13A I(D), 30V, 0.0091ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ STS11NF30L (ST)
 
SO-8 SOIC8 2500 шт MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 0.019ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —
A+ SUD50N04-8m8P-4GE3 (VISHAY)
 
TO252 1 шт MOSFET N-CH 40V 14A TO-252 Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 40V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252 —
A+ NTMFS4835NT1G (ONS)
 
SO-8 SOIC8 1 шт
 
 — —
A+ CSD17551Q3A (TI)
 
DFN-8 2500 шт
 
 —
A+ IRFH3702TRPBF (INFIN)
 
QFN-8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF8721PBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC — HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF8714TRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF7828TRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт Полевой транзистор. 30V. 13.6A. HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel — —
A+ IRF7809AVTRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF7809AVPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC — HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF7413ZTRPBF (INFIN)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel —
A+ IRF6604 (INFIN)
 
DIRECTFETMQ 1 шт
 
 HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel — —
A+ WMS13N03T1 (WAYON)
 
SOP8L в коробках 4000 шт
 
 — — — — — —
A+ SI4386DY-T1-E3 (VISHAY)
 
SO-8 SOIC8 1 шт MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC Small Signal Field-Effect Transistor, 11A I(D), 30V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET — —

Файлы 2

показать свернуть
PD - 97617 IRL6342PbF HEXFET® Power MOSFET VDS 30 V VGS ±12 V 6   ' RDS(on) max 14.6 mΩ 6   ' 11 nC 6   ' *   ' 9.9 A (@VGS = 4.5V) Qg (typical) ID (@TA = 25°C) SO-8 Applications • Battery operated DC motor inverter MOSFET • System/Load Switch Features and Benefits Features Industry-Standard SO-8 Package RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen MSL1, Consumer Qualification Orderable part number Package Type IRL6342PBF IRL6342TRPBF SO-8 SO-8 Absolute Maximum Ratings Parameter ⇒ Resulting Benefits Multi-Vendor Compatibility Environmentally Friendlier Increased Reliability Standard Pack Form Quantity Tube/Bulk 95 4000 Tape and Reel Max. VDS Drain-to-Source Voltage 30 VGS Gate-to-Source Voltage ±12 ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V 9.9 ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V 7.9 IDM PD @TA = 25°C PD @TA = 70°C Pulsed Drain Current e Power Dissipation e c Power Dissipation TJ Linear Derating Factor Operating Junction and TSTG Storage Temperature Range Note Units V A 79 2.5 1.6 0.02 -55 to + 150 W W/°C °C Notes  through „ are on page 2 www.irf.com 1 01/03/11 PDF
Документация на IRL6342TRPBF 

IRL6342PbF.pmd

Дата модификации: 29.04.2021

Размер: 276.8 Кб

9 стр.

PD - 97617 IRL6342PbF HEXFET® Power MOSFET VDS 30 V VGS ±12 V 6   ' RDS(on) max 14.6 mΩ 6   ' 11 nC 6   ' *   ' 9.9 A (@VGS = 4.5V) Qg (typical) ID (@TA = 25°C) SO-8 Applications • Battery operated DC motor inverter MOSFET • System/Load Switch Features and Benefits Features Industry-Standard SO-8 Package RoHS Compliant Containing no Lead, no Bromide and no Halogen MSL1, Consumer Qualification Orderable part number Package Type IRL6342PBF IRL6342TRPBF SO-8 SO-8 Absolute Maximum Ratings Parameter ⇒ Resulting Benefits Multi-Vendor Compatibility Environmentally Friendlier Increased Reliability Standard Pack Form Quantity Tube/Bulk 95 4000 Tape and Reel Max. VDS Drain-to-Source Voltage 30 VGS Gate-to-Source Voltage ±12 ID @ TA = 25°C Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V 9.9 ID @ TA = 70°C Continuous Drain Current, VGS @ 4.5V 7.9 IDM PD @TA = 25°C PD @TA = 70°C Pulsed Drain Current e Power Dissipation e c Power Dissipation TJ Linear Derating Factor Operating Junction and TSTG Storage Temperature Range Note Units V A 79 2.5 1.6 0.02 -55 to + 150 W W/°C °C Notes  through „ are on page 2 www.irf.com 1 01/03/11 PDF
Документация на серию IRL6342PBF 

IRL6342PbF.pmd

Дата модификации: 04.01.2011

Размер: 267.6 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD16340Q3 (TI)