SPA11N80C3XKSA1

Infineon
MOSFET N-CH 800V 11A TO220FP
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO220FP
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ STP21N90K5 (ST)
 
TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-220 —
A+ STF15N80K5 (ST)
 
TO220FP в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 14A TO-220FP — —
A+ IPA80R360P7XKSA1 (INFIN)
 
TO220FP в линейках 50 шт
A+ SPP17N80C3XKSA1 (INFIN)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 17A TO-220AB —
A+ SPA17N80C3XKSA1 (INFIN)
 
TO220FP в линейках 50 шт
 
 —
A+ IPP90R340C3XKSA1 (INFIN)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 900V 15A TO-220 — — —
A+ IPP80R360P7XKSA1 (INFIN)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
A+ IPD80R450P7ATMA1 (INFIN)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 —
A+ IPD80R280P7ATMA1 (INFIN)
 
TO252 в ленте 2500 шт MOSFET N-CH 800V 17A TO252 —

Файлы 1

показать свернуть
SPA11N80C3 CoolMOSTM Power Transistor Product Summary Features • New revolutionary high voltage technology • Extreme dv/dt rated V DS 800 V R DS(on)max @ Tj = 25°C 0.45 Ω 64 nC Q g,typ • High peak current capability • Qualified according to JEDEC1) for target applications • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Ultra low gate charge • Ultra low effective capacitances • Fully isolated package (2500 VAC; 1 minute) CoolMOSTM 800V designed for: • Industrial application with high DC bulk voltage • Switching Application ( i.e. active clamp forward ) Type Package Marking SPA11N80C3 PG-TO220-3 11N80C3 Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified Parameter Symbol Conditions Continuous drain current2) ID Value T C=25 °C 11 T C=100 °C 7.1 Pulsed drain current3) I D,pulse T C=25 °C 33 Avalanche energy, single pulse E AS I D=2.2 A, V DD=50 V 470 Avalanche energy, repetitive t AR3),4) E AR I D=11 A, V DD=50 V 0.2 Avalanche current, repetitive t AR3),4) I AR MOSFET dv /dt ruggedness dv /dt Gate source voltage V GS Power dissipation P tot Operating and storage temperature T j, T stg Mounting torque Rev. 2.93 Unit A mJ 11 A V DS=0…640 V 50 V/ns static ±20 V AC (f >1 Hz) ±30 T C=25 °C 34 -55 ... 150 M2.5 screws Page 1 50 W °C Ncm 2018-02-12 PDF
Документация на SPA11N80C3XKSA1 

Datasheet SPA11N80C3 Datasheet SPA11N80C3 Rev. 2.93

Дата модификации: 27.02.2018

Размер: 299.4 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD16340Q3 (TI)