SPB11N60C3ATMA1

Infineon
MOSFET N-CH 650V 11A D2PAK
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ STD16N65M5 (ST)
 
TO252 в ленте 2500 шт MOSFET N-CH 650V 12A DPAK —
A+ SPP11N60C3XKSA1 (INFIN)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 650V 11A TO-220AB —
A+ STP16N65M5 (ST)
 
TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 650V 12A TO-220 —
A+ IPA80R360P7XKSA1 (INFIN)
 
TO220FP в линейках 50 шт
A+ SPP17N80C3XKSA1 (INFIN)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 17A TO-220AB —
A+ STF15N80K5 (ST)
 
TO220FP в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 14A TO-220FP — —
A+ IPT65R195G7XTMA1 (INFIN)
 
PGHSOF8 2000 шт HIGH POWER_NEW — —
A+ SPA17N80C3XKSA1 (INFIN)
 
TO220FP в линейках 50 шт
 
 —
A+ IPP80R360P7XKSA1 (INFIN)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
A+ IPP60R170CFD7XKSA1 (INFIN)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт —
A+ IPL65R340CFDAUMA1 (INFIN)
 
PGVSON4 3000 шт
 
 — —
A+ IPD80R280P7ATMA1 (INFIN)
 
TO252 в ленте 2500 шт MOSFET N-CH 800V 17A TO252 —
A+ IPD70R360P7SAUMA1 (INFIN)
 
TO252 в ленте 2500 шт MOSFET N-CH 700V 34A DPAK —
A+ IPD65R400CEAUMA1 (INFIN)
 
TO252 в ленте 2500 шт
 
 —
A+ STP30N65M5 (ST)
 
TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 650V 22A TO220 —
A+ STP21N90K5 (ST)
 
TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-220 —

Файлы 1

показать свернуть
SPB11N60C3 Cool MOS™ Power Transistor Feature VDS @ Tjmax 650 V RDS(on) 0.38 Ω ID 11 A • New revolutionary high voltage technology • Ultra low gate charge • Periodic avalanche rated PG-TO263 • Extreme dv/dt rated • High peak current capability • Improved transconductance Type Package Ordering Code Marking SPB11N60C3 PG-TO263 Q67040-S4396 11N60C3 Maximum Ratings Parameter Symbol Value Unit SPB Continuous drain current ID A TC = 25 °C 11 TC = 100 °C 7 Pulsed drain current, tp limited by Tjmax ID puls 33 A Avalanche energy, single pulse EAS 340 EAR 0.6 Avalanche current, repetitive tAR limited by Tjmax IAR 11 A Gate source voltage static VGS ±20 V Gate source voltage AC (f >1Hz) VGS ±30 Power dissipation, TC = 25°C Ptot 125 Operating and storage temperature Tj , Tstg Reverse diode dv/dt 7) dv/dt mJ ID=5.5A, VDD=50V Avalanche energy, repetitive tAR limited by Tjmax2) ID=11A, VDD=50V Rev. 2.6 Page 1 W -55...+150 15 °C V/ns 2007-12-14 PDF
Документация на SPB11N60C3 

SPB11N60C3_Rev2.2.pdf

Дата модификации: 13.12.2007

Размер: 469.9 Кб

13 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD16340Q3 (TI)