SPB17N80C3ATMA1

Infineon
MOSFET N-CH 800V 17A D2PAK
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO263
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ STP21N90K5 (ST)
 
TO220AB в линейках 50 шт MOSFET N-CH 900V 18.5A TO-220 —
A+ SPP17N80C3XKSA1 (INFIN)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт MOSFET N-CH 800V 17A TO-220AB —
A+ SPA17N80C3XKSA1 (INFIN)
 
TO220FP в линейках 50 шт
 
 —
A+ IPD80R280P7ATMA1 (INFIN)
 
TO252 в ленте 2500 шт MOSFET N-CH 800V 17A TO252 —

Файлы 1

показать свернуть
SPB17N80C3 CoolMOS® Power Transistor Product Summary Features • new revolutionary high voltage technology • Extreme dv/dt rated V DS 800 V R DS(on)max @ Tj = 25°C 0.29 Ω 91 nC Q g,typ • High peak current capability • Qualified according to JEDEC1) for target applications PG-TO263 • Pb-free lead plating; RoHS compliant • Ultra low gate charge • Ultra low effective capacitances CoolMOSTM 800V designed for: • Industrial application with high DC bulk voltage • Switching Application (i.e. active clamp forward) Type Package Marking SPB17N80C3 PG-TO263 17N80C3 Maximum ratings, at T j=25 °C, unless otherwise specified Parameter Symbol Conditions Continuous drain current ID Value T C=25 °C 17 T C=100 °C 11 Pulsed drain current2) I D,pulse T C=25 °C 51 Avalanche energy, single pulse E AS I D=3.4 A, V DD=50 V 670 Avalanche energy, repetitive t AR2),3) E AR I D=17 A, V DD=50 V 0.5 Avalanche current, repetitive t AR2),3) I AR MOSFET dv /dt ruggedness dv /dt Gate source voltage V GS Power dissipation P tot Operating and storage temperature T j, T stg Rev. 2.5 Unit A mJ 17 A V DS=0…640 V 50 V/ns static ±20 V AC (f >1 Hz) ±30 T C=25 °C 227 W -55 ... 150 °C page 1 2011-09-27 PDF
Документация на SPB17N80C3 

SPB17N80C3_rev2.4_ratio_a.xls

Дата модификации: 27.09.2011

Размер: 426.5 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    CSD16340Q3 (TI)