2SC3320

INCHANGE Semiconductor COMPANY Ltd.
Inchange Semiconductor Product Specification 2SC3320 Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION With TO-3PN package High voltage ,high speed switching High reliability APPLICATIONS Switching regulators Ultrasonic generators High frequency inverters General purpose power amplifiers PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector;connected to mounting base 3 Emitter 体 导 半 固电 Absolute...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO3P
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Inchange Semiconductor Product Specification 2SC3320 Silicon NPN Power Transistors DESCRIPTION With TO-3PN package High voltage ,high speed switching High reliability APPLICATIONS Switching regulators Ultrasonic generators High frequency inverters General purpose power amplifiers PINNING PIN DESCRIPTION 1 Base 2 Collector;connected to mounting base 3 Emitter 体 导 半 固电 Absolute maximum ratings(Ta=25 ) SYMBOL VCBO VCEO VEBO PARAMETER R O T UC Fig.1 simplified outline (TO-3PN) and symbol E SEM D N O IC VALUE UNIT Open emitter 500 V Collector-emitter voltage Open base 400 V Emitter-base voltage Open collector 7 V G N A H Collector-base voltage INC CONDITIONS IC Collector current 15 A IB Base current 5 A PC Collector power dissipation 80 W Tj Junction temperature 150 Tstg Storage temperature -65~150 TC=25 THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL Rth (j-c) PARAMETER Thermal resistance from junction to case VALUE 1.56 UNIT /W PDF
Документация на 2SC3320 

Дата модификации: 19.01.2006

Размер: 182.3 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    2N5192 (ST)