JMSH0801AG-13

JMSH0801AG 80V 1.65m N-Ch Power MOSFET Features Product Summary Parameter • Ultra‐low RDS(ON) • Low Gate Charge • High Current Capability • 100% UIS Tested, 100% Rg Tested Typ. Unit VDS 80 V VGS(th) 2.8 V ID (@ VGS = 10V) (1) RDS(ON) (@ VGS = 10V) 196 A 1.65 m Applications • Power Managerment in Telecom., Industrial Automation, CE • Motor Driving & BMS in Power tool, E‐v...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус PDFN5x6
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 5

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMK028N10HG2 (WAYON)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ WMM028N10HG2 (WAYON)
 
TO263 5 шт
 
A+ NCEP016N85LL (NCE)
 
30 шт
 
±
A+ NCEP020N10LL (NCE)
 
в ленте 10 шт
 
±
A+ NCEP85T25VD (NCE)
 
 
±

Файлы 1

показать свернуть
Документация на JMSH0801AG-13 

JMSH0801AG_Rev1.0.xlsx

Дата модификации: 12.03.2024

Размер: 266.1 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.