CJU30P10
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD
TO-252-2L Plastic-Encapsulate MOSFETS
CJU30P10
P-Channel Power MOSFET
ID
RDS(on)TYP
V(BR)DSS
38mΩ@-10V
-100V
TO-252-2L
-30A
41mΩ@-4.5V
GENERAL DESCRIPTION
The CJU30P10 uses advanced trench technology and design to provide excellent
RDS(on) with low gate charge. It can be used in a wide variety of applications.
FEATURE
Advanced tre...
развернуть ▼ свернуть ▲ - Группа: FET транзисторы
- Корпус: TO2522L
- Норма упаковки: 20 шт. (в ленте)
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | TO2522L | |
|---|---|---|
| Конфигурация и полярность | ||
| Максимальное напряжение сток-исток | ||
| Ток стока номинальный при 25°C | ||
| Сопротивление открытого канала (мин) | ||
| Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном) | ||
| Диапазон номинальных напряжений затвора | ± | |
| Примечание |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Файлы 1
показать свернуть
Документация на CJU30P10
Microsoft Word - CJU18P10 TO-252-2L A-1
Дата модификации: 30.06.2020
Размер: 2.52 Мб
5 стр.
Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.