IXGR48N60C3D1

Littelfuse
IXGR48N60C3D1 GenX3TM 600V IGBT with Diode VCES IC25 VCE(sat) tfi(typ) (Electrically Isolated Back Surface) = = ≤ = 600V 56A 2.7V 38ns High Speed PT IGBTs for 40-100kHz Switching Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25°C to 150°C 600 V VCGR TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ 600 V VGES Continuous ±20 V VGEM Transient ±30 V IC25 TC = 25°C 56 A IC110 TC = 110°...
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид IXGR48N60C3D1

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус —
Ток коллектора максимальный при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Время включения
Время выключения
Время восстановления диода
Максимальная мощность
Заряд затвора
Тип входа
Тип
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i IК UКЭ нас t вкл t выкл Диод tвосст Мощность Заряд затвора Вход Тип Примечание Карточка
товара
A- STGB18N40LZT4 (ST)
 
TO263 1 шт IGBT 420V 30A 150W D2PAK — — —
A- STGD3NB60SDT4 (ST)
 
TO252 в ленте 2500 шт IGBT 600V 6A 48W DPAK — — —
A- STGW60V60DF (ST)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 80A 375W TO247 —
A- STGWA40M120DF3 (ST)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
 
 —
A- STGB10NB37LZT4 (ST)
 
TO263 в ленте 1000 шт IGBT 440V 20A 125W D2PAK — — —
A- LGD8201ATI (LTL)
 
TO-252-3 DPAK в ленте 2500 шт
 
 — — — — — —
A- IKW40N65RH5XKSA1 (INFIN)
 
PGTO2473 10 шт — — 650 V, 40 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
A- IRG4PC50UPBF (INFIN)
 
TO247AC в линейках 25 шт IGBT 600V 55A 200W TO247AC — — IGBT Discretes, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
A- IRG4PC50FDPBF (INFIN)
 
TO247AC в линейках 25 шт IGBT 600V 70A 200W TO247AC — IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, FAST 1-8 kHz
A- IRG4PC30UDPBF (INFIN)
 
TO247AC в линейках 25 шт IGBT 600V 23A 100W TO247AC — IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
A- IRG4BC40SPBF (INFIN)
 
TO220AB 50 шт IGBT 600V 60A 160W TO220AB — — IGBT Discretes, Hard switching, DC-1 kHz (STANDARD)
A- IRG4BC40FPBF (INFIN)
 
TO220AB в линейках 50 шт IGBT 600V 49A 160W TO220AB — — IGBT Discretes, Hard switching, FAST 1-8 kHz
A- IRG4BC30WPBF (INFIN)
 
TO-220-3 в линейках 50 шт IGBT 600V 23A 100W TO220AB — — IGBT Discretes, Hard switching, WARP 30-150 kHz
A- IKZA75N65SS5XKSA1 (INFIN)
 
TO2474 10 шт
 
 — — 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
A- IKZA50N65SS5XKSA1 (INFIN)
 
TO2474 10 шт
 
 — — 650 V, 50 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
A- IKW75N65SS5XKSA1 (INFIN)
 
PGTO2473 10 шт
 
 — — 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
A- IKW50N65SS5XKSA1 (INFIN)
 
PGTO2473 10 шт — — 650 V, 50 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
A- IKW50N65RH5XKSA1 (INFIN)
 
PGTO2473 10 шт
 
 — — 650 V, 50 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
A- IKW30N60TFKSA1 (INFIN)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IKW30N60H3FKSA1 (INFIN)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 60A 187W TO247-3
A- IKW15N120H3FKSA1 (INFIN)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт
A- IKA10N65ET6XKSA2 (INFIN)
 
TO220FULLPAK3 в линейках 50 шт
A- IHW15N120R3FKSA1 (INFIN)
 
TO-247-3 в линейках 30 шт — —
A- IGW50N60H3 (INFIN)
 
TO-247-3 1 шт —
A- AUIRGP50B60PD1 (INFIN)
 
TO247AC в линейках 25 шт IGBT 600V 75A 390W TO247AC IGBT Automotive, Hard switching, WARP 30-150 kHz

Файлы 1

показать свернуть
IXGR48N60C3D1 GenX3TM 600V IGBT with Diode VCES IC25 VCE(sat) tfi(typ) (Electrically Isolated Back Surface) = = ≤ = 600V 56A 2.7V 38ns High Speed PT IGBTs for 40-100kHz Switching Symbol Test Conditions Maximum Ratings VCES TJ = 25°C to 150°C 600 V VCGR TJ = 25°C to 150°C, RGE = 1MΩ 600 V VGES Continuous ±20 V VGEM Transient ±30 V IC25 TC = 25°C 56 A IC110 TC = 110°C 26 A ID110 TC = 110°C ICM TC = 25°C, 1ms IA EAS ISOPLUS 247TM 27 A 230 A TC = 25°C 30 A TC = 25°C 300 mJ SSOA VGE = 15V, TVJ = 125°C, RG = 3Ω (RBSOA) Clamped Inductive Load PC TC = 25°C ICM = 100 A @ VCE ≤ 600 V 125 W -55 ... +150 °C TJM 150 °C Tstg -55 ... +150 °C TJ G z z z z 300 °C z TSOLD Plastic Body for 10 Seconds 260 °C z VISOL 50/60 Hz RMS, t = 1min 2500 V~ FC Mounting Force 20..120 / 4.5..27 N/lb. 5 g VGE(th) IC ICES VCE = VCES VGE = 0V Characteristic Values (TJ = 25°C, Unless Otherwise Specified) Min. Typ. Max. = 250μA, VCE = VGE IGES VCE = 0V, VGE = ±20V VCE(sat) IC 3.0 TJ = 125°C = 30A, VGE = 15V, Note 1 TJ = 125°C © 2009 IXYS CORPORATION, All rights reserved 2.3 1.8 5.5 V 300 1.75 μA mA ±100 nA 2.7 V V C = Collector Silicon Chip on Direct-Copper Bond (DCB) Substrate - UL Recognized Package - Isolated Mounting Surface - 2500V Electrical Isolation Avalanche Rated Square RBSOA Anti-Parallel Ultra Fast Diode Fast Switching International Standard Package Advantages z z Test Conditions ISOLATED TAB Features 1.6mm (0.062 in.) from Case for 10s Symbol E G = Gate E = Emitter TL Weight C High Power Density Low Gate Drive Requirement Applications z z z z z z z z High Frequency Power Inverters UPS Motor Drives SMPS PFC Circuits Battery Chargers Welding Machines Lamp Ballasts DS99810B(01/09) PDF
Документация на IXGR48N60C3D1 

DS99044A(IXGK-IXGX60N60C2D1)

Дата модификации: 19.09.2022

Размер: 208.7 Кб

8 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    01 марта 2022
    статья

    Особенности транзисторов в корпусах ISOPLUS производства Littelfuse

    Компания Littelfuse представляет линейку корпусов ISOPLUS, различающихся формой и количеством выводов и предназначенных как для установки в отверстия, так и для поверхностного монтажа. Корпуса ISOPLUS, выполняющие функции узла распределения тепла,... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    STGB10NB37LZT4 (ST)