SMBJ100A

Littelfuse
Защитный диод - [DO-214AA, SMB]; Pрасс(пик): 600 Вт; Uраб: 100 В; Uимп(макс): 162 В; Iимп(макс): 3.7 А; Линий: 1
развернуть ▼ свернуть ▲
Внешний вид серии SMBJ

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DO-214AA SMB
Рассеиваемая мощность
Пиковая рассеиваемая мощность
Рабочее напряжение
Напряжение ограничения (номинальное)
Напряжение ограничения (диапазон)
Максимальное импульсное напряжение
Ток утечки при рабочем напряжении
Максимальный импульсный ток
Тип супрессора по свойствам
Количество линий ограничения
  Примечание: Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 32

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Pрасс Pрасс(пик) Uраб Uогр(ном) Uогр(диапазон) Uимп(макс) Iраб Iимп(макс) Тип Линий Cперех Примечание Карточка
товара
P= SMBJ100A (DC)
 

SMBJ100A (DIODES) 		DO-214AA SMB в ленте 3000 шт Защитный диод - [DO-214AA] — — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
P= SMBJ100A (VISHAY)
 

SMBJ100A (DIODES) 		—
 
 — — — — — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 100V V(RWM), Unidirectional
P= SMBJ100A (TSC)
 

SMBJ100A (DIODES) 		DO214AA — — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
P= SMBJ100A (BOURNS)
 

SMBJ100A (DIODES) 		DO-214AA SMB 3000 шт Защитный диод - — — — TVS DIODE 100VWM SMD General Purpose
P= SMBJ100A-E3/52 (VISHAY)
 
DO214AA в ленте 750 шт Защитный диод - [DO-214AA]; Pрасс: 5 Вт; Pрасс(пик): 600 Вт; Uраб: 100 В; Uогр(ном): 11... — — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
P= SMBJ100A (JIEJIE)
 

SMBJ100A (DIODES) 		— — — — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
P- SMBJ100D-M3/H (VISHAY)
 
DO214AA — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
P- SMBJ100A-13-F (DIODES)
 
DO214AA Защитный диод - —
P- SMBJ100A-13 (DIODES)
 
—
 
 — — — — — — — — — — — —
P- SMBJ100D-M3/I (VISHAY)
 
— — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
P- 1SMB100AT3 (ONS)
 
— — — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
P- SMBJ100A (YJ)
 

SMBJ100A (DIODES) 		DO214AA 3000 шт
 
 — — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 100V V(RWM), Unidirectional
P- SMBJ100A (GWS)
 

SMBJ100A (DIODES) 		—
 
 — — — — — — — — — — — —
A- SMCJ100A (LTL)
 

SMCJ100A/TR7 (YAG)
SMCJ100A (ONS-FAIR) 		DO-214AB SMC 3000 шт Защитный диод - [DO-214AB, SMC]; Pрасс(пик): 1.5 кВт; Uраб: 100 В; Uимп(макс): 162 В; I... — Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB
A- M5KP100A (MCRCH)
 
— — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AR
A- SMCJ100A-E3/57T (VISHAY)
 
DO214AB 1 шт Защитный диод - Примечание: LS: Диод — — —
A- SMA6F100A-M3/H (VISHAY)
 
DO-220AA (SMP)
 
 — — Trans Voltage Suppressor Diode, 4000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-221AC
A- SMAJ100A-E3/61 (VISHAY)
 
DO214AC в ленте 1800 шт Защитный диод - [DO-214AC]; Pрасс(пик): 400 Вт; Uраб: 100 В; Uогр(ном): 117 В; Uогр(диа... — — Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
A- 5KP100A-E3/54 (VISHAY)
 
— — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon
A- 5.0SMDJ100A (LTL)
 
DO214AB 3000 шт Защитный диод - [DO-214AB, SMC]; Pрасс(пик): 5 кВт; Uраб: 100 В; Uимп(макс): 162 В; Iим... — Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB
A- 5.0SMDJ100A-T7 (LTL)
 
DO-214AB SMC 500 шт Защитный диод - [DO-214AB, SMC]; Pрасс(пик): 5 кВт; Uраб: 100 В; Uимп(макс): 162 В; Iим... — — Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB
A- SMA6L100A (LTL)
 
DO-220AA (SMP)
 
 — — Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-221AC
A- SMDJ100CA-T7 (LTL)
 
— 500 шт Защитный диод - Pрасс(пик): 3 кВт; Uраб: 100 В; Uимп(макс): 162 В; Iимп(макс): 18.5 А; ... — — Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 100V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB
A- SMDJ100A (LTL)
 
DO-214AB SMC 3000 шт Защитный диод - [DO-214AB, SMC]; Pрасс(пик): 3 кВт; Uраб: 100 В; Uимп(макс): 162 В; Iим... — Trans Voltage Suppressor Diode, 3000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB
A- PGSMAJ100AR3G (TSC)
 
— — — Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
A- SMAJ100AHR3G (TSC)
 
— —
A- SMAJ100A-Q (BOURNS)
 
— — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
A- 5.0SMDJ100A-QH (BOURNS)
 
— — — Trans Voltage Suppressor Diode, 5000W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB
A- SMCJ100A-Q (BOURNS)
 
— — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB
A- SMAJ100A (LTL)
 

SMAJ100A (DIODES) 		DO214AC 5000 шт Защитный диод - [DO-214AC, SMA]; Pрасс(пик): 400 Вт; Uраб: 100 В; Uимп(макс): 162 В; Iи... — Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
A- SMCJ100A-QH (BOURNS)
 
— — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB
A- SMCJ100A (TSC)
 

SMCJ100A/TR7 (YAG)
SMCJ100A (ONS-FAIR) 		DO214AB 3000 шт — — — Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 100V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB

Файлы 1

показать свернуть
TVS Diodes Surface Mount – 600W > SMBJ series SMBJ Series RoHS Pb e3 Description The SMBJ series is designed specifically to protect sensitive electronic equipment from voltage transients induced by lightning and other transient voltage events. Uni-directional Features Bi-directional Agency Approvals Agency Agency File Number E230531 Maximum Ratings and Thermal Characteristics (TA=25OC unless otherwise noted) Parameter Peak Pulse Power Dissipation(Fig.2) by 10/1000us Test Waveform(Fig.4) (Note 1),(Note 2)-Single Die Parts Peak Pulse Power Dissipation(Fig.2) by 10/1000us Test Waveform(Fig.4) (Note 1), (Note 2)-Stacked Die Parts (Note 5) Power Dissipation on Infinite Heat Sink at TL=50OC Peak Forward Surge Current, 8.3ms Single Half Sine Wave (Note 3) Maximum Instantaneous Forward Voltage at 50A for Unidirectional Only (Note 4) Operating Temperature Range Symbol Value Unit PPPM 600 W PPPM 800 W PD 5.0 W IFSM 100 A VF 3.5/5.0 V °C TJ -65 to 150 Storage Temperature Range TSTG -65 to 175 °C Typical Thermal Resistance Junction to Lead RƟJL 20 °C/W Typical Thermal Resistance Junction to Ambient RƟJA 100 °C/W Notes: 1. Non-repetitive current pulse , per Fig. 4 and derated above TJ (initial) =25OC per Fig. 3. 2. Mounted on copper pad area of 0.2x0.2” (5.0 x 5.0mm) to each terminal. 3. Measured on 8.3ms single half sine wave or equivalent square wave for unidirectional device only, duty cycle=4 per minute maximum. 4. VF < 3.5V for single die parts and VF< 5.0V for stacked-die parts. 5. For stacked die component details, please refer to part numbers labeled by * in Electrical Characteristics. Functional Diagram • Excellent clamping capability • Low incremental surge resistance • Typical IR less than 1μA when VBR min>12V • For surface mounted applications to optimize board space • Low profile package • Typical failure mode is short from over-specified voltage or current • Whisker test is conducted based on JEDEC JESD201A per its table 4a and 4c • IEC-61000-4-2 ESD 30kV(Air), 30kV (Contact) • ESD protection of data lines in accordance with IEC 61000-4-2 • EFT protection of data lines in accordance with IEC 61000-4-4 • Built-in strain relief • Fast response time: typically less than 1.0ps from 0V to VBR min • 600W peak pulse power capability at 10/1000μs waveform, repetition rate (duty cycles):0.01% • High temperature to reflow soldering guaranteed: 260°C/30sec • VBR @ TJ= VBR@25°C x (1+αT x (TJ - 25)) (αT:Temperature Coefficient, typical value is 0.1%) • UL Recognized compound meeting flammability classification V-0 • Meet MSL level1, per J-STD-020, LF maximun peak of 260°C • Matte tin lead–free plated • Halogen free and RoHS compliant • Pb-free E3 means 2nd level interconnect is Pbfree and the terminal finish material is tin(Sn) (IPC/ JEDEC J-STD-609A.01) • UL Recognized to ANSI/ UL 497B: Protectors for Data Communications and Fire-Alarm Circuits. Applications TVS components are ideal for the protection of I/O Interfaces, VCC bus and other vulnerable circuits used in Telecom, Computer, Industrial and Consumer electronic applications. Bi-directional Cathode Anode Uni-directional © 2020 Littelfuse, Inc. Specifications are subject to change without notice. Revised: 06/03/20 PDF
Документация на SMBJ100A 

Дата модификации: 03.06.2020

Размер: 972.1 Кб

6 стр.

    Публикации 6

    показать свернуть
    26 января 2022
    статья

    Проектируем счетчики электроэнергии, газа и воды категории Smart Meters на базе решений Littelfuse

    Константин Кузьминов (г. Заполярный) Компоненты и решения Littelfuse обеспечат надежную работу и долгий срок службы умных счетчиков электроэнергии, газо– и водоснабжения. Обширная номенклатура, включающая в себя герконы семейств... ...читать

    06 апреля 2015
    TVS-диоды
    новость

    Складская программа Компэл по TVS-диодам Littelfuse

    Компэл завершил формирование начальной складской программы по TVS–диодам производства Littelfuse. Программа включает в себя складскую поддержку ограничительных диодов семи наиболее востребованных и популярных серий: 1.5KE, P6KE – для... ...читать

    04 февраля 2015
    статья

    TBU: самовосстанавливающаяся быстродействующая защита по току и напряжению

    Устройства высокоскоростной защиты TBU производства компании Bourns – базовый элемент защиты радиоэлектроники (в первую очередь – телекоммуникационных линий и интерфейсов) от бросков тока и напряжения, вызванных грозовыми разрядами, короткими... ...читать

    04 февраля 2015
    статья

    Подразделение защиты: TVS-диоды от Bourns

    Поглощение и рассеивание энергии импульса помехи – основное назначение TVS–диодов, изделий, повсеместно применяемых в современной электронике. Компания Bourns предлагает широкую линейку TVS–диодов, – от классических до сверхмощных, –... ...читать

    04 февраля 2015
    статья

    Bourns: для нас качество – не пустое слово

    Об истории компании Bourns, ее инновациях, приобретениях, перспективах развития на российском рынке и преимуществах взаимодействия разработчиков с официальными дистрибьюторами компании редактору журнала «Новости электроники» Геннадию Каневскому... ...читать

    19 декабря 2014
    статья

    Полупроводниковая защита: обзор основных серий TVS-диодов от Littelfuse

    Компания Littelfuse предлагает широкий выбор различных TVS–диодов как для поверхностного монтажа, так и для монтажа в отверстия, с пиковой мощностью 0,2…30 кВт, с уровнями постоянного обратного напряжения 5…512 В. Все достоинства... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    1.5KE100A (ST)