LND150K1-G

Microchip
MOSFET N-CH 500V 0.013A SOT23-3
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Максимальное напряжение затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Особенности
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
Supertex inc. LND150 N-Channel Depletion-Mode DMOS FET Features ► ► ► ► ► ► ► General Description Free from secondary breakdown Low power drive requirement Ease of paralleling Excellent thermal stability Integral source-drain diode High input impedance and low CISS ESD gate protection The LND150 is a high voltage N-channel depletion mode (normally-on) transistor utilizing Supertex’s lateral DMOS technology. The gate is ESD protected. The LND150 is ideal for high voltage applications in the areas of normally-on switches, precision constant current sources, voltage ramp generation and amplification. Applications ►► ►► ►► ►► ►► ►► Solid state relays Normally-on switches Converters Power supply circuits Constant current sources Input protection circuits Product Summary Ordering Information Part Number Package Options Packing LND150K1-G TO-236AB (SOT-23) 3000/Reel LND150N3-G TO-92 1000/Bag LND150N3-G P002 TO-92 2000/Reel LND150N3-G P003 TO-92 2000/Reel LND150N3-G P005 TO-92 2000/Reel LND150N3-G P013 TO-92 2000/Reel LND150N3-G P014 TO-92 2000/Reel LND150N8-G TO-243AA (SOT-89) 2000/Reel BVDSX/BVDGX RDS(ON) IDSS (max) (min) 500 1.0kΩ 1.0mA (V) Pin Configuration SOURCE -G denotes a lead (Pb)-free / RoHS compliant package TO-92 Absolute Maximum Ratings Parameter Value Drain-to-source BVDSX Drain-to-gate BVDGX Gate-to-source ±20V Operating and storage temperature DRAIN -55 C to +150OC O GATE SOURCE SOURCE DRAIN DRAIN SOURCE GATE GATE TO-236AB (SOT-23) TO-243AA (SOT-89) Absolute Maximum Ratings are those values beyond which damage to the device may occur. Functional operation under these conditions is not implied. Continuous operation of the device at the absolute rating level may affect device reliability. All voltages are referenced to device ground. Product Marking NDEW W = Code for Week Sealed = “Green” Packaging TO-236AB (SOT-23) SiLN D 1 50 YYWW YY = Year Sealed WW = Week Sealed = “Green” Packaging TO-92 LN1EW W = Code for Week Sealed = “Green” Packaging TO-243AA (SOT-89) Packages may or may not include the following marks: Si or Doc.# DSFP-LND150 C041114 Supertex inc. www.supertex.com PDF
Документация на LND150K1-G 

LND150 Datasheet - N-Channel Depletion-Mode DMOS FET

Дата модификации: 20.07.2021

Размер: 599.3 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    IRF630 (ST)