SMBJ58A

PREMIER FARNELL PLC
Защитный диод -
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Рабочее напряжение
Напряжение ограничения (номинальное)
Максимальное импульсное напряжение
Тип супрессора по свойствам
Примечание Trans Voltage Suppressor Diode, 58V V(RWM), Unidirectional, Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 16

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Pрасс Pрасс(пик) Uраб Uогр(ном) Uогр(диапазон) Uимп(макс) Iраб Iимп(макс) Тип Линий Cперех Примечание Карточка
товара
P= SMBJ58A-TP (MCC) DO-214AA SMB Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
P= SMBJ58A-E3/52 (VISHAY) DO214AA в ленте 750 шт Защитный диод - [DO-214AA]; Pрасс: 5 Вт; Pрасс(пик): 600 Вт; Uраб: 58 В; Uогр(ном): 68 ... Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
P= SMBJ58A (GOOD-ARK)
SMBJ58A (ONS-FAIR)
 
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
P= SMBJ58AR5G (TSC) Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
P= SMBJ58A (SMCMICRO)
SMBJ58A (ONS-FAIR)
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
P= SMBJ58A-TR (ST) DO214AA в ленте 2500 шт
 
Trans Voltage Suppressor Diode, 4000W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
P= SM6T68A-E3/52 (VISHAY) DO214AA в ленте 750 шт Защитный диод - [SMB]; Примечание: SMD-SUPPRESSOR-DIODE  600W
P= SM6T68A (ST) DO214AA в ленте 2500 шт
 
P= SMBJ58A (TSC)
SMBJ58A (ONS-FAIR)
Защитный диод - Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
P= SMBJ58A (LTL)
SMBJ58A (ONS-FAIR)
DO-214AA SMB в ленте 3000 шт Защитный диод - [DO-214AA, SMB]; Pрасс(пик): 600 Вт; Uраб: 58 В; Uимп(макс): 93.6 В; Iи... Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
P= P6SMB68A (YJ) DO214AA 3000 шт
 
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 58.1V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
P- SMBJ58A (YJ)
SMBJ58A (ONS-FAIR)
DO214AA в ленте 3000 шт Trans Voltage Suppressor Diode, 58V V(RWM), Unidirectional
P- SMBJ58A (GWS)
SMBJ58A (ONS-FAIR)
 
A- SMAJ58A-13-F (DIODES) DO214AC 1 шт
A- SMCJ58A (LTL)
SMCJ58A/TR7 (YAG)
SMCJ58A (ONS-FAIR)
DO-214AB SMC 3000 шт Защитный диод - [DO-214AB, SMC]; Pрасс(пик): 1.5 кВт; Uраб: 58 В; Uимп(макс): 93.6 В; I... Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB
A- SMAJ58A (LTL)
SMAJ58A/TR7 (YAG)
DO214AC в ленте 5000 шт Защитный диод - [DO-214AC, SMA]; Pрасс(пик): 400 Вт; Uраб: 58 В; Uимп(макс): 93.6 В; Iи... Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 58V V(RWM), Unidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC

Файлы 1

показать свернуть
Transient Voltage Suppressor SMBJ5.0 - SMBJ440CA Features: • • • • • Glass passivated junction Low incremental surge resistance, excellent clamping capability 600W peak pulse power capability with a 10/1,000μs waveform, repetition rate (duty cycle): 0.01% Very fast response time High temperature soldering guaranteed: 250°C/10 secs at terminals Mechanical Data: • • • Case: JEDEC DO-214AA moulded plastic over glass passivated junction Polarity: Foruni-directional types the colour band denotes the cathode, which is positive with respect to the anode under normal TVS operation Weight: 0.0003oz, 0.093g Devices for Bidirectional Applications: For bi-directional deviced, use suffix “C” (eg SMBJ10C, SMBJ10CA). Electrical characteristics apply in both directions. No colour band on bi-directional devices. Maximum Ratings & Characteristics: Ta=25°C Characteristics Symbol Value Unit Peak power dissiation with a 10/1,000μs waveform (Note 1, 2, Fig 1) PPPM Minimum 600 W Peak pulse current with a 10/1,000μs waveform (Note 1) IPPM See table below A Peak forward surge current, 8.3ms single half sine-wave uni- directional only (Note 2) IFSM 100 A Typical thermal resistance, junction to ambient (Note 3) RthJA 100 °C/W Typical thermal resistance, junction to lead RthJL 20 °C/W TJ, TSTG -55 to +150 °C Operational junction and storage temperature range Notes: 1. Non-repetitive current pulses, per Fig.3 and derated above TA=25°C per Fig.2 2. Mounted on 0.2ʺ × 0.2ʺ (5mm × 5mm) copper pads to each terminal 3. Mounted on minimum recommended pad layout www.element14.com www.farnell.com www.newark.com Page <1> 22/08/14 V1.0 PDF
Документация на SMBJ100CA 

Дата модификации: 22.08.2014

Размер: 395.8 Кб

6 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.