BC846A.235

 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO236
Тип проводимости и конфигурация
Комплементарная пара
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 11

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= BC846A.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC846.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC846B (YJ)
BC846B (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC846A (YJ) SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BCV71.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
 
P= BC846A (DIOTEC) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC846S (NXP) SOT-323-6 SOT363 1 шт
 
P= BC847A (DC)
BC847A (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
P= BC847A (DIOTEC)
BC847A (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC847C.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847B.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт

Файлы

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.