BC846B.235

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 BC846; BC847; BC848 NPN general purpose transistors Product specification Supersedes data of 1999 Apr 23 2002 Feb 04
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO236
Тип проводимости и конфигурация
Комплементарная пара
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 9

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= BC846B.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC846B (CDIL)
BC846B (DIODES)
TO236 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BC846B (YOUTAI)
BC846B (DIODES)
 
P= BC846B (YJ)
BC846B (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BCV72.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC846.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC846BLT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт NPN Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC846B (NXP)
BC846B (DIODES)
TO236 1 шт
 
P= BC846BLT3G (ONS) SOT-23-3 в ленте 10000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 65 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: 2... Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.