BC847A.215

 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO236
Тип проводимости и конфигурация
Комплементарная пара
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P+ BC846B.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P+ BC847C.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P+ BC846BLT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт NPN Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P+ BC847BLT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт NPN Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236

Файлы

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.