BC847B.215

TRANSISTOR, NPN, REEL 3K; Transistor Type:Bipolar; Transistor Polarity:NPN; Voltage, Vceo:45V; Current, Ic Continuous a Max:100mA; Voltage, Vce Sat Max:200mV; Power Dissipation:250mW; Hfe, Min:200; ft, Typ:300MHz; Case Style:SOT-23; Termination Type:SMD; Temperature, Operating Range:-65°C to +150°C; Current, Ic Max:100A; Current, Ic hFE:2A; Device Marking:BC847B; Marking, SMD:1F; NF, Max:10dB; Pins, No. of:3; Power, Ptot:200mW; Quantity, Reel:3000; Transistors, No. of:1; Voltage, Vcbo:50V; Width, Tape:8mm; ft, Min:100MHz
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO236
Тип проводимости и конфигурация
Комплементарная пара
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 34

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P+ BC847C.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847CW.115 (NEX-NXP) SC703 в ленте 3000 шт
P= BC847C.235 (NEX-NXP) TO236 в ленте 10000 шт
P= BC847B (YJ)
BC847B (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC847B.235 (NEX-NXP) TO236 в ленте 10000 шт
P= BC847C (YJ)
BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC847C (DC)
BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
P= BC847B (DC)
BC847B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847C (NXP)
BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 10000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Fгран:...
P= BC847A (YJ)
BC847A (DIODES)
SOT-23-3 3000 шт
 
P= BC847CW (YJ) SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
P= BCW72.235 (NEX-NXP) TO236
 
P= BC847B (DIOTEC)
BC847B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC847CW (NXP) SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC847C (DIOTEC)
BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23-3] Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC847B (NXP)
BC847B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Fгран: 100 МГц; h2...
P= BC847.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847A.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847C (NEX-NXP)
BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
P= BC847CT (NXP) SOT-23-3 1 шт
 
P= BC846A.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847BW (YJ) SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC847BT116 (ROHM) SOT-23-3 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BC847BW.115 (NEX-NXP) SC703 в ленте 3000 шт
P= BC850BW.115 (NEX-NXP) SC703 1 шт
P= BC847A.235 (NEX-NXP) TO236
 
P= BCW71.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847BW.135 (NEX-NXP) SC703
 
P= BCX70K.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
 
P= BC850CW.115 (NEX-NXP) SC703 в ленте 3000 шт
P= BC850C.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847CW.135 (NEX-NXP) SC703 1 шт
P= BC849CW.115 (NEX-NXP) SC703 в ленте 3000 шт
P= BC847W (NXP) 1 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.