BC850C.215

DISCRETE SEMICONDUCTORS DATA SHEET book, halfpage M3D088 BC849; BC850 NPN general purpose transistors Product specification Supersedes data of 1998 Aug 06 1999 Apr 08
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO236
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= BC850C.235 (NEX-NXP) TO236 в ленте 10000 шт
P= BC847C (YJ)
BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC850C (DIOTEC) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC850C (NXP) SOT-23-3 1 шт
 

Файлы 1

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.