BCW72.235

 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO236
Тип проводимости и конфигурация
Комплементарная пара
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 36

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= BC847CT (NXP) SOT-23-3 1 шт
 
P= BC847B (HOTTECH)
BC847B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт
 
P= BC847ALT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт NPN Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC847C.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847CW.115 (NEX-NXP) SC703 в ленте 3000 шт
P= BC847C-7-F (DIODES) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BCW72LT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: 2... Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
P= BC847B.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847A-TP (MCC) TO236 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BCW71.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847BLT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт NPN Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC847B (YJ)
BC847B (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BCW72.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847CLT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт NPN Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC847B.235 (NEX-NXP) TO236 в ленте 10000 шт
P= LBC847BLT1G (LRC) 1 шт Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BC847C (YJ)
BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC847C (DC)
BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
P= BC847B (DC)
BC847B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847C (NXP)
BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 10000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Fгран:...
P= BC847A (YJ)
BC847A (DIODES)
SOT-23-3 3000 шт
 
P= BC847CW (YJ) SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC847B 1F (FOSAN)
 
P= BC847BHZGT116 (ROHM) 1000 шт
 
P= BC847B (DIOTEC)
BC847B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC847CW (NXP) SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC847C (DIOTEC)
BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23-3] Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC847B-TP (MCC) TO236 в ленте 3000 шт Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BC847BLT3G (ONS) SOT-23-3 10000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: 2... Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC847C.235 (NEX-NXP) TO236 в ленте 10000 шт
P= BC847B (NXP)
BC847B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Fгран: 100 МГц; h2...
P= BC847CW (DIOTEC) SOT-323-3 в ленте 110 шт Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BC847CWT1G (ONS) SOT-323-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-323]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: ... Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BC847CWT3G (ONS) SC703 10000 шт Биполярный транзистор - [SOT-323]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: ... Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BCW72 (MULTCMP) SOT-23-3 1 шт
 
P= BCW72 (NXP) SOT-23-3 1 шт
 

Файлы

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.