2N5551-YBU
Semiconductor Components INDUSTRIES, LLC
- Группа: Биполярный транзистор
- Корпус: —
- Норма упаковки: 10000 шт. (в коробках)
- не рекомендуется для новых разработок
Технические характеристики
показать свернутьТип проводимости и конфигурация | ||
---|---|---|
Рассеиваемая мощность | ||
Напряжение КЭ максимальное | ||
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии | ||
Ток коллектора | ||
Граничная рабочая частота | ||
Коэффициент усиления по току |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 12
показать свернутьТип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | Тип | Пара | Pрасс | UКЭ(макс) | UКЭ(пад) | IК(макс) | F гран | h 21 | R1 | R2 | Примечание | Карточка товара |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
P= | 2N5551-Y (ONS-FAIR) | TO-92-3 | 1000 шт | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | ||
P= | 2N5551G (ONS) | TO-92-3 | в коробках 5000 шт |
| — | — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 | |||||||
P= | 2N5551 (ONS-FAIR) 2N5551 (SAMSUNG) | TO-92-3 | 1 шт |
| — | — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 | |||||||
P= | 2N5551 (DC) 2N5551 (SAMSUNG) | TO-92-3 | 1000 шт |
| — | — | — | — | ||||||||
P= | 2N5551TA (ONS-FAIR) 2N5551TA LEAD (ONS-FAIR) | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
P= | 2N5551 (DIOTEC) 2N5551 (SAMSUNG) | TO-92-3 | в ленте 4000 шт | — | — | — | — | |||||||||
P= | 2N5551RL1G (ONS) | TO-92-3 | 2000 шт |
| — | — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 | |||||||
P= | 2N5551RLRPG (ONS) | TO-92-3 | 2000 шт |
| — | — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 | |||||||
P= | 2N5551ZL1G (ONS) | TO-92-3 | 2000 шт |
| — | — | — | — | ||||||||
P= | 2N5551BU (ONS-FAIR) | TO-92-3 | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | — | |||
P= | 2N5551YBU (ONS-FAIR) | — | 1 шт |
| — | — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 160V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92 | |||||||
P= | 2N5551 (JSCJ) 2N5551 (SAMSUNG) | TO-92-3 | — | — | — | Small Signal Bipolar Transistor, 0.6A I(C), 1-Element, NPN |
Файлы
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.