BC807-25LT1G

Биполярный транзистор общего назначения
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
Примечание General Purpose Transistor PNP
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 8

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P+ BC807-40.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P+ BC807-40LT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт PNP Bipolar Transistor General Purpose Transistor PNP
P= BC807-25.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC807-25 (DIOTEC)
BC807-25 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23-3]
P= BC807-25 (MCC)
BC807-25 (ONS-FAIR)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC807-25 (DIODES)
BC807-25 (ONS-FAIR)
TO236 1 шт
 
P= BC807-25-TP (MCC) TO236 в ленте 3000 шт
P- BC807-25LT3G (ONS) TO236 10000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23-3]; Тип: PNP; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 500 мА; Pрасс:... General Purpose Transistor PNP

Файлы 1

показать свернуть
BC807-16L, SBC807­16L BC807-25L, SBC807­25L, BC807-40L, SBC807-40L General Purpose Transistors http://onsemi.com PNP Silicon COLLECTOR 3 Features • AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable • S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique • Site and Control Change Requirements These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant 1 BASE 2 EMITTER MAXIMUM RATINGS Rating 3 Symbol Value Unit Collector − Emitter Voltage VCEO −45 V Collector − Base Voltage VCBO −50 V Emitter − Base Voltage VEBO −5.0 V IC −500 mAdc SOT−23 CASE 318 STYLE 6 Characteristic Symbol Max Unit MARKING DIAGRAM Total Device Dissipation FR− 5 Board, (Note 1) TA = 25°C Derate above 25°C PD 225 1.8 mW mW/°C 556 °C/W Collector Current − Continuous 1 2 THERMAL CHARACTERISTICS Thermal Resistance, Junction−to−Ambient Total Device Dissipation Alumina Substrate, (Note 2) TA = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction−to−Ambient Junction and Storage Temperature RqJA 1 PD 300 2.4 mW mW/°C RqJA 417 °C/W TJ, Tstg −55 to +150 °C November, 2011 − Rev. 10 5xx = Device Code xx = A1, B1, or C M = Date Code* G = Pb−Free Package (Note: Microdot may be in either location) Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability. 1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in. 2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in 99.5% alumina. © Semiconductor Components Industries, LLC, 2011 5xx M G G 1 *Date Code orientation and/or overbar may vary depending upon manufacturing location. ORDERING INFORMATION See detailed ordering and shipping information in the package dimensions section on page 2 of this data sheet. Publication Order Number: BC807−16LT1/D PDF
Документация на BC807-25LT1G 

BC807-16LT1, SBC807-16L - General Purpose Transistors PNP Silicon

Дата модификации: 18.11.2011

Размер: 181.3 Кб

10 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.