BC846BLT1G

ON Semiconductor
NPN Bipolar Transistor
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
  Примечание: Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 28

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P+ BC846C (DIOTEC)
 
SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - — — — — —
P= BC846BQ (YJ)
 
SOT-23-3
 
 — — — — — — — — — — —
P= BCV72.215 (NEX-NXP)
 
TO236 в ленте 3000 шт — — —
P= BC846.215 (NEX-NXP)
 
TO236 в ленте 3000 шт — — — —
P= BC846B (YJ)
 

BC846B (DIODES) 		SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
P= BC846B (MULTCMP)
 

BC846B (DIODES) 		TO236
 
 — — — — — — — — — — —
P= BC846BT (NXP)
 
SOT-23-3 Биполярный транзистор - Тип: NPN; UКЭ(макс): 65 В; IК(макс): 100 мА; Fгран: 100 МГц; h2... — — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BC846B (HOTTECH)
 

BC846B (DIODES) 		TO236 в ленте 3000 шт
 
 — — — — — — — — — — —
P= BC846B (YOUTAI)
 

BC846B (DIODES) 		—
 
 — — — — — — — — — — —
P= BC846B.215 (NEX-NXP)
 
TO236 в ленте 3000 шт — — — —
P= BC846B (DIOTEC)
 

BC846B (DIODES) 		TO236 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23-3] — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P- BC846B.235 (NEX-NXP)
 
TO236 в ленте 10000 шт — — — —
P- BC846B (CDIL)
 

BC846B (DIODES) 		TO236 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P- BC846B (NXP)
 

BC846B (DIODES) 		TO236 1 шт
 
 — — — — — —
F~ BC846B (DC)
 

BC846B (DIODES) 		TO236 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23-3] — — — — — —
A+ BC546B (DIOTEC)
 
TO-92-3 в ленте 4000 шт Биполярный транзистор - — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
A+ DTDG14GPT100 (ROHM)
 
SOT-89 в ленте 1000 шт
 
 — — — Small Signal Bipolar Transistor, 1A I(C), 70V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
A+ PBSS304NZ (NXP)
 
— 1 шт
 
 — — — — —
A+ PBSS304NX (NXP)
 
— 1 шт
 
 — — — — —
A+ 2SC2459 (TOS)
 
TO-92-3 1 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3] — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
A+ 2SC2240-GR (TOS)
 
TO-92-3 в коробках 200 шт — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
A+ 2SC2240 (TOS)
 
— 1 шт Биполярный транзистор - [TO-92FL-3] — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 120V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-92
A+ BC846B RFG (TSC)
 
SOT-23-3 — — — —
A+ BC846BT (YJ)
 
SOT-523
 
 — — — —
A+ 2SD1782-R (YJ)
 
SOT-23-3 3000 шт
 
 — — — —
A+ 2N5551-YBU (ONS-FAIR)
 
— в коробках 10000 шт
 
 — — — —
A+ BC846BW (YJ)
 
SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
 — — — —
A+ 2SD1782KT146R (ROHM)
 
SOT-346 1 шт — — — Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

Файлы 1

показать свернуть
BC846ALT1G Series General Purpose Transistors NPN Silicon Features • Moisture Sensitivity Level: 1 • ESD Rating − Human Body Model: >4000 V • • http://onsemi.com ESD Rating − Machine Model: >400 V S and NSV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant COLLECTOR 3 1 BASE 2 EMITTER MAXIMUM RATINGS Rating Symbol Collector-Emitter Voltage Value Unit VCEO Collector−Base Voltage Vdc 1 2 VCBO Vdc VEBO Vdc 6.0 6.0 5.0 BC846 BC847, BC850 BC848, BC849 Collector Current − Continuous SOT−23 CASE 318 STYLE 6 80 50 30 BC846 BC847, BC850 BC848, BC849 Emitter−Base Voltage 3 65 45 30 BC846 BC847, BC850 BC848, BC849 IC 100 MARKING DIAGRAM XX M G G mAdc Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected. THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Total Device Dissipation FR− 5 Board, (Note 1) TA = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction−to−Ambient (Note 1) Total Device Dissipation Alumina Substrate (Note 2) TA = 25°C Derate above 25°C Thermal Resistance, Junction−to−Ambient (Note 2) Junction and Storage Temperature Range Symbol Max Unit PD 225 mW 1 XX M G = Device Code = Date Code* = Pb−Free Package (Note: Microdot may be in either location) *Date Code orientation and/or overbar may vary depending upon manufacturing location. RqJA 1.8 mW/°C 556 °C/W ORDERING INFORMATION PD 300 mW 2.4 mW/°C RqJA 417 °C/W TJ, Tstg −55 to +150 °C See detailed ordering and shipping information in the package dimensions section on page 12 of this data sheet. 1. FR− 5 = 1.0  0.75  0.062 in. 2. Alumina = 0.4  0.3  0.024 in 99.5% alumina. © Semiconductor Components Industries, LLC, 2014 April, 2014 − Rev. 13 1 Publication Order Number: BC846ALT1/D PDF
Документация на семейство BC846 

BC846ALT1 - General Purpose Transistors NPN Silicon

Дата модификации: 05.04.2014

Размер: 109.2 Кб

13 стр.

    Публикации 1

    показать свернуть
    01 сентября 2017
    статья

    Индустриальная платформа I3Mote для промышленного Интернета вещей

    Промышленная революция 4.0 и Интернет вещей (Internet of things, IoT) подразумевают тотальное внедрение интеллектуальных электронных систем. Однако традиционные подходы к разработке электроники не способны обеспечить требуемой скорости вывода... ...читать

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    BD138 (ST)