BCW72LT1G

Биполярный транзистор общего назначения
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-23-3
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
  Примечание: Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236AB
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 36

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
P= BC847CT (NXP) SOT-23-3 1 шт
 
P= BCW72.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847B (YJ)
BC847B (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC847BLT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт NPN Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC847C (DIOTEC)
BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23-3] Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC847A-TP (MCC) TO236 Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BC847C-7-F (DIODES) SOT-23-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BC847CW.115 (NEX-NXP) SC703 в ленте 3000 шт
P= BC847C.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847C.235 (NEX-NXP) TO236 в ленте 10000 шт
P= BC847ALT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт NPN Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC847CLT1G (ONS) SOT-23-3 в ленте 3000 шт NPN Bipolar Transistor Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC847B.235 (NEX-NXP) TO236 в ленте 10000 шт
P= BC847B (DC)
BC847B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847C (DC)
BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
P= BC847C (YJ)
BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 3000 шт
 
P= LBC847BLT1G (LRC) 1 шт Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BC847B.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P= BC847B (HOTTECH)
BC847B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт
 
P= BC847C (NXP)
BC847C (DIODES)
SOT-23-3 в ленте 10000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23-3]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Fгран:...
P= BC847A (YJ)
BC847A (DIODES)
SOT-23-3 3000 шт
 
P= BC847CW (YJ) SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
P= BC847B 1F (FOSAN)
 
P= BC847BHZGT116 (ROHM) 1000 шт
 
P= BC847B (DIOTEC)
BC847B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BC847CW (NXP) SOT-323-3 в ленте 3000 шт
 
P= BCW72.235 (NEX-NXP) TO236
 
P= BC847B-TP (MCC) TO236 в ленте 3000 шт Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BC847CWT3G (ONS) SC703 10000 шт Биполярный транзистор - [SOT-323]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: ... Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BC847BLT3G (ONS) SOT-23-3 10000 шт Биполярный транзистор - [SOT-23]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: 2... Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-236
P= BCW72 (MULTCMP) SOT-23-3 1 шт
 
P= BC847CWT1G (ONS) SOT-323-3 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - [SOT-323]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Pрасс: ... Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BC847CW (DIOTEC) SOT-323-3 в ленте 110 шт Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
P= BC847B (NXP)
BC847B (DIODES)
TO236 в ленте 3000 шт Биполярный транзистор - Тип: NPN; UКЭ(макс): 45 В; IК(макс): 100 мА; Fгран: 100 МГц; h2...
P- BCW71.215 (NEX-NXP) TO236 в ленте 3000 шт
P- BCW72 (NXP) SOT-23-3 1 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
BCW72LT1G, SBCW72LT1G General Purpose Transistor NPN Silicon Features  AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable  S Prefix for Automotive and Other Applications Requiring Unique http://onsemi.com Site and Control Change Requirements  These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant* SOT−23 (TO−236) CASE 318−08 STYLE 6 MAXIMUM RATINGS Symbol Value Unit Collector −Emitter Voltage Rating VCEO 45 Vdc Collector −Base Voltage VCBO 50 Vdc Emitter−Base Voltage VEBO 5.0 Vdc IC 100 mAdc Symbol Max Unit 225 1.8 mW mW/C 556 C/W 300 2.4 mW mW/C RqJA 417 C/W TJ, Tstg −55 to +150 C Collector Current − Continuous COLLECTOR 3 1 BASE THERMAL CHARACTERISTICS Characteristic Total Device Dissipation FR−5 Board, (Note 1) TA = 25C Derate above 25C Thermal Resistance, Junction−to−Ambient Total Device Dissipation Alumina Substrate, (Note 2) TA = 25C Derate above 25C Thermal Resistance, Junction−to−Ambient Junction and Storage Temperature PD RqJA PD Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability. 1. FR−5 = 1.0 x 0.75 x 0.062 in. 2. Alumina = 0.4 x 0.3 x 0.024 in. 99.5% alumina. 2 EMITTER MARKING DIAGRAM K2 M G G 1 K2 = Device Code M = Date Code* G = Pb−Free Package (Note: Microdot may be in either location) *Date Code orientation and/or overbar may vary depending upon manufacturing location. ORDERING INFORMATION Device Package Shipping† BCW72LT1G SOT−23 (Pb−Free) 3,000 / Tape & Reel SBCW72LT1G SOT−23 (Pb−Free) 3,000 / Tape & Reel †For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D. *For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D.  Semiconductor Components Industries, LLC, 2011 November, 2011 − Rev. 4 1 Publication Order Number: BCW72LT1/D PDF
Документация на BCW72LT1G 

BCW72LT1 - General Purpose Transistor NPN Silicon

Дата модификации: 08.11.2011

Размер: 153.9 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.