ECH8664R-TL-H

MOSFET транзистор - [SOT-28FL]; Тип: N; Uси: 30 В; Iс(25°C): 7 А; Rси(вкл): 23.5...34 мОм; @Uзатв(ном): 2.5...4.5 В; Qзатв: 10 нКл
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 13

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ SIS412DN-T1-GE3 (VISHAY) POWERPAK12128 в ленте 3000 шт
 
Power Field-Effect Transistor, 8.7A I(D), 30V, 0.024ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
A+ IRF7413ZTRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ SUD50N04-8m8P-4GE3 (VISHAY) TO252 1 шт MOSFET N-CH 40V 14A TO-252 Power Field-Effect Transistor, 14A I(D), 40V, 0.0088ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-252
A+ NTMFS4835NT1G (ONS) SO-8 SOIC8 1 шт
 
A+ IRL6342TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC Power Field-Effect Transistor, 9.9A I(D), 30V, 0.0146ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, MS-012AA
A+ IRF8721PBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF8714TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7828TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт Полевой транзистор.
30V. 13.6A. HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7809AVTRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7809AVPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 30V 13.3A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7807TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 4000 шт MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7470TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7470PBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Файлы 1

показать свернуть
Ordering number : ENA1185A ECH8664R N-Channel Power MOSFET http://onsemi.com 30V, 7A, 23.5mΩ, Dual ECH8 Features • • • • Low ON-resistance 2.5V drive Common-drain type Protection diode in • • • Built-in gate protection resistor Best suited for LiB charging and discharging switch Halogen free compliance Specifications Absolute Maximum Ratings at Ta=25°C Parameter Symbol Drain-to-Source Voltage Conditions Ratings VDSS VGSS Gate-to-Source Voltage Drain Current (DC) ID IDP Drain Current (Pulse) Allowable Power Dissipation Unit 30 V ±12 V 7 A PW≤10μs, duty cycle≤1% 60 A When mounted on ceramic substrate (900mm2×0.8mm) 1unit 1.3 W Total Power Dissipation PD PT 1.4 W Channel Temperature Tch 150 °C Storage Temperature Tstg --55 to +150 °C When mounted on ceramic substrate (900mm2×0.8mm) Stresses exceeding Maximum Ratings may damage the device. Maximum Ratings are stress ratings only. Functional operation above the Recommended Operating Conditions is not implied. Extended exposure to stresses above the Recommended Operating Conditions may affect device reliability. Package Dimensions Product & Package Information unit : mm (typ) 7011A-003 • Package : ECH8 • JEITA, JEDEC :• Minimum Packing Quantity : 3,000 pcs./reel ECH8664R-TL-H Top View Packing Type : TL 0.25 0.15 8 TK 5 LOT No. TL 2.3 2.8 0 to 0.02 Electrical Connection 4 1 0.65 0.3 1 : Source1 2 : Gate1 3 : Source2 4 : Gate2 5 : Drain 6 : Drain 7 : Drain 8 : Drain 0.07 0.9 0.25 Marking 2.9 Bottom View 8 7 6 5 1 2 3 4 ECH8 Semiconductor Components Industries, LLC, 2013 July, 2013 62712 TKIM/72308PE TIIM TC-00001451 No. A1185-1/7 PDF
Документация на ECH8664R-TL-H 

Producer: Acrobat Distiller 8.3.1 (Macintosh)

Дата модификации: 19.07.2013

Размер: 297.2 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.