Power MOSFET 30V 104A 3.5 mOhm Single N-Channel SO-8FL
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 3

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
A+ WMS032N04LG2 (WAYON) SOP8L 4000 шт
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 40V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET

Файлы 1

показать свернуть
NTMFS4835N MOSFET – Power, Single, N-Channel, SO-8FL 30 V, 104 A Features • • • • www.onsemi.com Low RDS(on) to Minimize Conduction Losses Low Capacitance to Minimize Driver Losses Optimized Gate Charge to Minimize Switching Losses These are Pb−Free Devices V(BR)DSS D (5,6) G (4) MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise stated) Symbol Value Unit Drain−to−Source Voltage VDSS 30 V Gate−to−Source Voltage VGS ±20 V ID 20 A Continuous Drain Current RqJA (Note 1) TA = 25°C Power Dissipation RqJA (Note 1) TA = 25°C PD 2.27 W Continuous Drain Current RqJA (Note 2) TA = 25°C ID 12 A Power Dissipation RqJA (Note 2) TA = 85°C Steady State TA = 85°C 9.0 PD 0.89 W Continuous Drain Current RqJC (Note 1) TC = 25°C ID 104 A Power Dissipation RqJC (Note 1) TC = 25°C TC = 85°C TA = 25°C, tp = 10 ms Operating Junction and Storage Temperature Source Current (Body Diode) S (1,2,3) N−CHANNEL MOSFET MARKING DIAGRAM 14 TA = 25°C Pulsed Drain Current 104 A 5.0 mW @ 4.5 V Refer to Application Note AND8195/D CPU Power Delivery DC−DC Converters Low Side Switching Parameter ID MAX 3.5 mW @ 10 V 30 V Applications • • • • RDS(ON) MAX 75 PD 62.5 W IDM 208 A TJ, TSTG −55 to +150 °C D 1 SO−8 FLAT LEAD CASE 488AA STYLE 1 A Y W ZZ S S S G D 4835N AYWZZ D D = Assembly Location = Year = Work Week = Lot Traceability ORDERING INFORMATION Device Package Shipping† NTMFS4835NT1G SO−8FL (Pb−Free) 1500 / Tape & Reel SO−8FL (Pb−Free) 5000 / Tape & Reel IS 52 A Drain to Source DV/DT dV/dt 6 V/ns Single Pulse Drain−to−Source Avalanche Energy TJ = 25°C, VDD = 50 V, VGS = 10 V, IL = 28 Apk, L = 1.0 mH, RG = 25 W EAS 392 mJ NTMFS4835NT3G Lead Temperature for Soldering Purposes (1/8″ from case for 10 s) TL 260 °C †For information on tape and reel specifications, including part orientation and tape sizes, please refer to our Tape and Reel Packaging Specifications Brochure, BRD8011/D. Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected. 1. Surface−mounted on FR4 board using 1 sq−in pad, 1 oz Cu. 2. Surface−mounted on FR4 board using the minimum recommended pad size. © Semiconductor Components Industries, LLC, 2012 May, 2019 − Rev. 9 1 Publication Order Number: NTMFS4835N/D PDF
Документация на NTMFS4835NT1G 

MOSFET — Power, Single, N-Channel, SO-8FL 30 V, 104 A

Дата модификации: 12.11.2020

Размер: 177.1 Кб

8 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.