NTMFS4H02NFT1G

MOSFET транзистор
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN-8 TDFN8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ SIR158DP-T1-GE3 (VISHAY) POWERPAKSO8 1 шт
 
A+ IRFH5250DTRPBF (INFIN) PQFN8 в ленте 4000 шт
 
HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel

Файлы 1

показать свернуть
NTMFS4H02NF MOSFET – Power, Single, N-Channel, SO-8FL 25 V, 193 A Features • • • • • Integrated Schottky Diode Optimized Design to Minimize Conduction and Switching Losses Optimized Package to Minimize Parasitic Inductances Optimized material for improved thermal performance These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS Compliant Applications • • • • www.onsemi.com VGS MAX RDS(on) TYP QGTOT 4.5 V 2.3 mW 17.4 nC 10 V 1.4 mW 39.3 nC High Performance DC-DC Converters System Voltage Rails Netcom, Telecom Servers & Point of Load PIN CONNECTIONS SO8−FL (5 x 6 mm) MAXIMUM RATINGS (TJ = 25°C unless otherwise stated) Parameter Symbol Value Units Drain-to-Source Voltage VDSS 25 V Gate-to-Source Voltage VGS ±20 V Continuous Drain Current RqJA (TA = 25°C, Note 1) ID 37 A Power Dissipation RqJA (TA = 25°C, Note 1) PD 3.13 W Continuous Drain Current RqJC (TC = 25°C, Note 1) ID 193 A Power Dissipation RqJC (TC = 25°C, Note 1) PD 83 W Pulsed Drain Current (tp = 10 ms) IDM 449 A Single Pulse Drain-to-Source Avalanche Energy (Note 1) (IL = 38 Apk, L = 0.3 mH) EAS 223 mJ Drain to Source dV/dt dV/dt 7 V/ns TJ(max) 150 °C Storage Temperature Range TSTG −55 to 150 °C Lead Temperature Soldering Reflow (SMD Styles Only), Pb-Free Versions (Note 2) TSLD 260 °C Maximum Junction Temperature (Top View) (Bottom View) N−CHANNEL MOSFET D (5, 6) S (1, 2, 3) G (4) ORDERING INFORMATION See detailed ordering, marking and shipping information on page 7 of this data sheet. Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be assumed, damage may occur and reliability may be affected. 1. Values based on copper area of 645 mm2 (or 1 in2) of 2 oz copper thickness and FR4 PCB substrate. 2. For more information, please refer to our Soldering and Mounting Techniques Reference Manual, SOLDERRM/D. 3. This is the absolute maximum rating. Parts are 100% UIS tested at TJ = 25°C, VGS = 10 V, IL = 26 A, EAS = 101 mJ. © Semiconductor Components Industries, LLC, 2015 May, 2019 − Rev. 3 1 Publication Order Number: NTMFS4H02NF/D PDF
Документация на NTMFS4H02NFT1G 

MOSFET – Power, Single, N-Channel, SO-8FL 25 V, 193 A

Дата модификации: 18.11.2020

Размер: 189.8 Кб

9 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.