NVMD6N04R2G

MOSFET транзистор
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SO-8 SOIC8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
Примечание
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 6

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ IRF7470PBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в линейках 95 шт MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ IRF7470TRPBF (INFIN) SO-8 SOIC8 в ленте 4000 шт MOSFET N-CH 40V 10A 8-SOIC HEXFET Power MOSFETs Discrete N-Channel
A+ NTMD5838NLR2G (ONS) SO-8 SOIC8 2500 шт MOSFET транзистор - [SO-8]; Тип: N; Uси: 40 В; Iс(25°C): 8.9 А; Rси(вкл): 25...30.8 мОм...
A+ NTD5407NT4G (ONS) TO252
 
Power MOSFET 40V 38A 26 mOhm Single N-Channel DPAK
A+ NTMS5838NLR2G (ONS)
 
A+ ECH8662-TL-H (ONS) SMD8 3000 шт
 

Файлы

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.