SGM2N60UFTF
- Группа: IGBT транзисторы
- Корпус: SOT-223 SOT-223-4
Технические характеристики
показать свернуть| Корпус | SOT-223 SOT-223-4 | |
|---|---|---|
| Ток коллектора максимальный при 25°C |  | |
| Напряжение насыщения К-Э |  | |
| Время включения |  | |
| Время выключения |  | |
| Максимальная мощность |  | |
| Заряд затвора |  | |
| Тип входа |  |
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER
Аналоги 24
показать свернуть| Тип | Наименование | Корпус | Упаковка | i | IК | UКЭ нас | t вкл | t выкл | Диод tвосст | Мощность | Заряд затвора | Вход | Тип | Примечание | Карточка товара |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| A- | SKiiP26GH12T4V11 (SMK) | — | в коробках 2 шт |  |  | — | — | — | — | — |  | — | Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 1200V V(BR)CES | ||
| A- | STGB10NB37LZT4 (ST) | TO263 | в ленте 1000 шт |
|  |  |  |  | — |  |  |  | — | Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 375V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB | |
| A- | STGP19NC60HD (ST) | TO220AB | в линейках 50 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  | — | Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB | |
| A- | STGW60V60DF (ST) | TO-247-3 | в линейках 30 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  |  | Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel | |
| A- | IRGSL14C40LPBF (INFIN) | TO-262-3 | в линейках 50 шт |
|  |  |  |  | — |  |  |  | — | IGBT Discretes, Hard switching, DC-1 kHz (STANDARD) | |
| A- | IRGIB6B60KDPBF (INFIN) | TO220FULLPAK3 | в линейках 50 шт |  |  |  |  |  |  |  |  |  | IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz | ||
| A- | IRG4PC40UD (INFIN) | TO247AC | в линейках 25 шт |
|  |  |  |  |  |  |  |  | — | IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz | |
| A- | IRG4BC40SPBF (INFIN) | TO220AB | 50 шт |
|  |  |  |  | — |  |  |  | — | IGBT Discretes, Hard switching, DC-1 kHz (STANDARD) | |
| A- | IKZA75N65SS5XKSA1 (INFIN) | TO2474 | 10 шт |  |  |  |  | — |  |  | — |  | 650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode | ||
| A- | IKW50N65SS5XKSA1 (INFIN) | PGTO2473 | 10 шт |
|  |  |  |  | — |  |  | — |  | 650 V, 50 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode | |
| A- | IKW40N65RH5XKSA1 (INFIN) | PGTO2473 | 10 шт |
|  |  |  |  | — |  |  | — |  | 650 V, 40 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode | |
| A- | IGW50N60H3 (INFIN) | TO-247-3 | 1 шт |
|  |  |  |  | — |  |  |  |  |  | |
| A- | IRG4BC30WPBF (INFIN) | TO-220-3 | в линейках 50 шт |
|  |  |  |  | — |  |  |  | — | IGBT Discretes, Hard switching, WARP 30-150 kHz | |
| A- | NGTG15N60S1EG (ONS) | TO-220-3 | в линейках 50 шт |
|  |  |  |  | — |  |  |  |  |  | |
| A- | NGB8206ANSL3G (LTL) | TO263 |  |  | — |  | — |  | — |  | — | — | |||
| A- | NGD8201ANT4G (LTL) | TO252 | 2500 шт |  |  | — |  | — |  | — |  | — | — | ||
| A- | NGD18N40ACLBT4G (LTL) | TO252 | 1 шт |  |  | — | — | — |  | — |  | — | — | ||
| A- | NGB8245NT4G (LTL) | TO263 |  |  | — | — | — |  | — |  | — | — | |||
| A- | NGB8207BNT4G (LTL) | TO263 |  |  | — | — | — |  | — |  | — | — | |||
| A- | NGB8207ABNT4G (LTL) | TO263 | 800 шт |  |  | — | — | — |  | — |  | — | — | ||
| A- | NGB8206ANTF4G (LTL) | TO263 |  |  | — |  | — |  | — |  | — | — | |||
| A- | NGB8206ANT4G (LTL) | TO263 |  |  | — |  | — |  | — |  | — | — | |||
| A- | NGB8204ANT4G (LTL) | TO263 |  |  | — | — | — |  | — |  | — | — | |||
| A- | MID150-12A4 (LTL) | AG-62MM-2 |  |  |  |  | — |  | — |  | — | Insulated Gate Bipolar Transistor, 180A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel |
Файлы
показать свернутьВнимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.