SGM2N60UFTF

IGBT 600V 2.4A 2.1W SOT-223
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SOT-223 SOT-223-4
Ток коллектора максимальный при 25°C
Напряжение насыщения К-Э
Время включения
Время выключения
Максимальная мощность
Заряд затвора
Тип входа
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 24

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i IК UКЭ нас t вкл t выкл Диод tвосст Мощность Заряд затвора Вход Тип Примечание Карточка
товара
A- SKiiP26GH12T4V11 (SMK) в коробках 2 шт
 
Insulated Gate Bipolar Transistor, 90A I(C), 1200V V(BR)CES
A- STGB10NB37LZT4 (ST) TO263 в ленте 1000 шт IGBT 440V 20A 125W D2PAK Insulated Gate Bipolar Transistor, 20A I(C), 375V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB
A- STGP19NC60HD (ST) TO220AB в линейках 50 шт IGBT 600V 40A 130W TO220 Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB
A- STGW60V60DF (ST) TO-247-3 в линейках 30 шт IGBT 600V 80A 375W TO247 Insulated Gate Bipolar Transistor, 120A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
A- IRGSL14C40LPBF (INFIN) TO-262-3 в линейках 50 шт IGBT 430V 20A 125W TO262AA IGBT Discretes, Hard switching, DC-1 kHz (STANDARD)
A- IRGIB6B60KDPBF (INFIN) TO220FULLPAK3 в линейках 50 шт
 
IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
A- IRG4PC40UD (INFIN) TO247AC в линейках 25 шт IGBT транзистор - [TO-247-3]; Uкэ.макс: 600 В; Iк@25°C: 40 А; Iк@100°C: 20 А; Uкэ.нас: ... IGBT Co-Packs: IGBT with Anti-Parallel Diode, Hard switching, ULTRAFAST 8-30 kHz
A- IRG4BC40SPBF (INFIN) TO220AB 50 шт IGBT 600V 60A 160W TO220AB IGBT Discretes, Hard switching, DC-1 kHz (STANDARD)
A- IKZA75N65SS5XKSA1 (INFIN) TO2474 10 шт
 
650 V, 75 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
A- IKW50N65SS5XKSA1 (INFIN) PGTO2473 10 шт 650 V, 50 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
A- IKW40N65RH5XKSA1 (INFIN) PGTO2473 10 шт 650 V, 40 A IGBT Discrete with CoolSiC™ diode
A- IGW50N60H3 (INFIN) TO-247-3 1 шт
A- IRG4BC30WPBF (INFIN) TO-220-3 в линейках 50 шт IGBT 600V 23A 100W TO220AB IGBT Discretes, Hard switching, WARP 30-150 kHz
A- NGTG15N60S1EG (ONS) TO-220-3 в линейках 50 шт IGBT 600V 30A 117W TO220-3
A- NGB8206ANSL3G (LTL) TO263
 
A- NGD8201ANT4G (LTL) TO252 2500 шт
 
A- NGD18N40ACLBT4G (LTL) TO252 1 шт
 
A- NGB8245NT4G (LTL) TO263
 
A- NGB8207BNT4G (LTL) TO263
 
A- NGB8207ABNT4G (LTL) TO263 800 шт
 
A- NGB8206ANTF4G (LTL) TO263
 
A- NGB8206ANT4G (LTL) TO263
 
A- NGB8204ANT4G (LTL) TO263
 
A- MID150-12A4 (LTL) AG-62MM-2
 
Insulated Gate Bipolar Transistor, 180A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel

Файлы

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.