FK8V03040L

MOSFET N CH 33V 10A WMINI8-F1
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус WMini8-F1
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
  Примечание: Small Signal Field-Effect Transistor, 10A I(D), 33V, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 19

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ YJS10N04A (YJ)
 
SO-8 SOIC8 в ленте 5 шт
 
A+ LNB8403DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ AO4480 (YOUTAI)
 
1 шт
 
A+ LN7406DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LN74065DT1WG (LRC)
 
DFN5×68B
 
±
A+ LNB8415DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LNB8408DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LNB84065DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ LNB84046DT0AG (LRC)
 
DFN33338A
 
±
A+ WMS10N04TS (WAYON)
 
SOP8L в ленте 4000 шт
 
A+ HGE055NE4A (CRMICRO)
 
SOP-8
 
A+ LN8418DT1AG (LRC)
 
DFN30308B
 
±
A+ CS15N04AEP-G (CRMICRO)
 
SOP-8
 
A+ NCE4015S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ NCE4012S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ NCE4009S (NCE)
 
SO-8 SOIC8 ±
A+ CJQ13N04 (JSCJ)
 
SO-8 SOIC8
 
±
A+ YJQ20N04A (YJ)
 
 
A+ YJG18N04A (YJ)
 
PDFN568 5000 шт
 

Файлы 1

показать свернуть
Doc No. TT4-EA-13169 Revision. 3 Product Standards MOS FET FK8V03040L FK8V03040L Silicon N-channel MOSFET Unit: mm For lithium-ion secondary battery protecion circuit For DC-DC Converter 2.9 0.3 0.16 8 7 6 5 1 2 3 4 2.4 2.8  Features  Low drain-source On-state Resistance RDS(on) typ = 11 m (VGS = 4.5 V)  High-speed switching : Qg = 7.2 nC  Halogen-free / RoHS compliant (EU RoHS / UL-94 V-0 / MSL:Level 1 compliant) 0.65  Marking Symbol: 3D  Packaging Embossed type (Thermo-compression sealing) : 3 000 pcs / reel (standard) 1. 2. 3. 4. Source Source Source Gate 5. 6. 7. 8. Panasonic JEITA Code  Absolute Maximum Ratings Ta = 25 C Parameter Symbol Drain-source Voltage Gate-source Voltage Drain Current (Steady State) *1 Drain Current (t = 10 s) *1 Drain Current (Pulsed) *1,*2 Source Current (Pulsed) (Body Diode) *1,*2 Total Power Dissipation (Steady State) *1 Total Power Dissipation (t = 10 s) *1 Channel Temperature Operating Ambient Temperature Storage Temperature Range Note) (0.81) VDS VGS ID IDp ISp (BD) PD Tch Topr Tstg Rating Unit 33 20 10 12 40 V V Drain Drain Drain Drain WMini8-F1 SC-115 ― Internal Connection (D) 8 (D) 7 (D) 6 (D) 5 1 (S) 2 (S) 3 (S) 4 (G) A 10 1 1.5 150 -40 to + 85 -55 to +150 W C C C *1 Device mounted on a glass-epoxy board (See Figure 1) *2 Pulse test: Ensure that the channel temperature does not exceed 150C. Pin Name 1. 2. 3. 4. Source Source Source Gate 5. 6. 7. 8. Drain Drain Drain Drain Figure1 FR4 Glass-Epoxy Board 25.4 mm  25.4 mm  0.8 mm Page 1 of 6 Established : 2011-04-06 Revised : 2013-07-31 PDF
Документация на FK8V03040L 

FK8V0304 Ver. EED

Дата модификации: 19.06.2018

Размер: 322.8 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.