PJSD12LCFN2_R1_00001

PAN JIT Int. Inc.
PJSD12LCFN2 BI-DIRECTIONAL ESD PROTECTION DIODE This bi-directional TVS has been designed to protect sensitive equipment against ESD and to prevent Latch-Up events in CMOS circuitry operating at 12Vdc and below.This offers an integrated solution to protect a single data line where the board space is a premium. SPECIFICATION FEATURES • 115W Power Dissipation (8/20s Waveform) • Low Leakage Curre...
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус X1-DFN1006-2
Пиковая рассеиваемая мощность
Рабочее напряжение
Напряжение ограничения (номинальное)
Напряжение ограничения (диапазон)
Максимальное импульсное напряжение
Тип супрессора по свойствам
Количество линий ограничения
  Примечание: Trans Voltage Suppressor Diode, 115W, 12V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 25

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Pрасс Pрасс(пик) Uраб Uогр(ном) Uогр(диапазон) Uимп(макс) Iраб Iимп(макс) Тип Линий Cперех Примечание Карточка
товара
A- 1N6042A (MCRCH)
 
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 11V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-202AA
A- P6KE13CA-E3/54 (VISHAY) DO204AC Защитный диод - Примечание: TRANSIL BI 0,6KW 13V DO15    RoHSconf TRANSIL BI 0,6KW 13V DO15 RoHSconf
A- 1.5SMC13CA-E3/57T (VISHAY) DO214AB Защитный диод - Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB
A- P6SMB13CA-E3/52 (VISHAY) Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
A- P6SMB13CA-E3/5B (VISHAY) DO214AA Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
A- P4SMA13CA-E3/61 (VISHAY) 1 шт Trans Voltage Suppressor Diode, 300W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
A- 1.5KE13CA (LTL) DO201 1200 шт Защитный диод - [DO-201AA, DO-27, Axial]; Pрасс(пик): 1.5 кВт; Uраб: 11.1 В; Uимп(макс)... Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-201
A- P4KE13CA-B (LTL) DO15 500 шт Защитный диод - [DO-204AL, DO-41, Axial]; Pрасс(пик): 400 Вт; Uраб: 11.1 В; Uимп(макс):... Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AL
A- P4SMA13CA (LTL) DO214AC 5000 шт Защитный диод - [DO-214AC, SMA]; Pрасс(пик): 400 Вт; Uраб: 11.1 В; Uимп(макс): 18.2 В; ... Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AC
A- 1.5SMC13CA (LTL) DO214AB 3000 шт Защитный диод - [DO-214AB, SMC]; Pрасс(пик): 1.5 кВт; Uраб: 11.1 В; Uимп(макс): 18.2 В;... Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AB
A- P6KE13CA (LTL)
P6KE13CA/TR13 (YAG)
P6KE13CA (ONS-FAIR)
DO15 4000 шт Защитный диод - [DO-204AC, DO-15, Axial]; Pрасс(пик): 400 Вт; Uраб: 11.1 В; Uимп(макс):... Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AC
A- P6KE13CA (TSC)
P6KE13CA/TR13 (YAG)
P6KE13CA (ONS-FAIR)
DO15 1 шт Защитный диод - Примечание: LS: диоды
A- P6KE13CAR0 (TSC) Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AC
A- P6SMB13CA (YJ) DO214AA 3000 шт
 
Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-214AA
A- BZW04-11B (DIOTEC) DO15 1 шт Защитный диод - [DO-15]; Pрасс(пик): 400 Вт; Uраб: 11.1 В; Uогр(диапазон): 12.4...13.7 ... Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AC
A- 1.5KE13C (DIOTEC)
 
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 10.5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
A- 1.5KE13CA (DIOTEC)
 
Trans Voltage Suppressor Diode, 1500W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon
A- P4KE13C (DIOTEC) DO-204AC DO-15 Защитный диод - [DO-15]; Pрасс(пик): 400 Вт; Uраб: 10.5 В; Uогр(диапазон): 11.7...14.3 ... Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 10.5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AC
A- P4KE13CA (DIOTEC) DO-204AC DO-15 Защитный диод - [DO-15]; Pрасс(пик): 400 Вт; Uраб: 11.1 В; Uогр(диапазон): 12.4...13.7 ... Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AC
A- TGL34-13C (DIOTEC)
 
Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 10.5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-213AA
A- TGL34-13CA (DIOTEC)
 
Trans Voltage Suppressor Diode, 150W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-213AA
A- P6KE13C (DIOTEC) Защитный диод - [DO-15]; Pрасс(пик): 600 Вт; Uраб: 10.5 В; Uогр(диапазон): 11.7...14.3 ... Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 10.5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AC
A- P6KE13CA (DIOTEC)
P6KE13CA/TR13 (YAG)
P6KE13CA (ONS-FAIR)
DO15 450 шт Защитный диод - [DO-15]; Pрасс(пик): 600 Вт; Uраб: 11.1 В; Uогр(диапазон): 12.4...13.7 ... Trans Voltage Suppressor Diode, 600W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-204AC
A- TGL41-13C (DIOTEC) DO-213AB
 
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 10.5V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-213AB
A- TGL41-13CA (DIOTEC) DO-213AB
 
Trans Voltage Suppressor Diode, 400W, 11.1V V(RWM), Bidirectional, 1 Element, Silicon, DO-213AB

Файлы 1

показать свернуть
PJSD12LCFN2 BI-DIRECTIONAL ESD PROTECTION DIODE This bi-directional TVS has been designed to protect sensitive equipment against ESD and to prevent Latch-Up events in CMOS circuitry operating at 12Vdc and below.This offers an integrated solution to protect a single data line where the board space is a premium. SPECIFICATION FEATURES • 115W Power Dissipation (8/20s Waveform) • Low Leakage Current, Maximum of 0.1A@12Vdc • Very low Clamping voltage 0.022(0.55) 0.017(0.45) 0.042(1.05) 0.037(0.95) 0.026(0.65) 0.022(0.55) • IEC 61000-4-2 ESD +30kV air, +30kV Contact Compliance • Lead free in compliance with EU RoHS2.0 (2011/65/EU & 2015/865/EU directive) • Green molding compound as per IEC61249 Std. . (Halogen Free) 0.002(0.05) MAX. MECHANICAL DATA • Terminals : Solderable per MIL-STD-750, Method 2026 0.013(0.32) 0.008(0.22) • Approx. Weight: 0.00004 ounces ,0.001 grams 0.022(0.55) 0.017(0.45) • Case : DFN 2L, Plastic • Marking : BX APPLICATIONS PIN NO.1 IDENTIFICATION • Video I/O ports protection • Set Top Boxes • Portable Instrumentation MAXIMUM RATINGS (TA=25oC unless otherwise noted) RATING SYMBOL VALUE UNITS Peak Pulse Power (8/20 s Waveform) PPP 115 W Peak Pulse Current (8/20 s Waveform) I PPM 5 A ESD Voltage per IEC61000-4-2 (Contact) VESD + 30 kV ESD Voltage per IEC61000-4-2 (Air) VESD + 30 kV ESD Voltage (HBM) VESD +8 kV T J ,T S TG -55 to +150 Op e ra ti ng J unc ti o n a nd S to rag e Te mp e ra ture Ra ng e May 12,2017-REV.01 O C PAGE . 1 PDF
Документация на PJSD12LCFN2_R1_00001 

Approve Sheet ER204

Дата модификации: 12.05.2017

Размер: 345.2 Кб

4 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.