RMW200N03TB

Rohm
MOSFET N-CH 30V 20A 8PSOP
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус SMD8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
  Примечание: Power Field-Effect Transistor, 20A I(D), 30V, 0.0056ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 2

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Uси Iс(25°C) RDS on Rси (вкл) Uзатв (ном) Uзатв(макс) Qзатв Pрасс Примечание Cзатв Особенности Карточка
товара
A+ WMS032N04LG2 (WAYON)
 
SOP8L 4000 шт
 
 — — —
A+ RS1G260MNTB (ROHM)
 
DFN-8 TDFN8
 
 Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 40V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET —

Файлы 1

показать свернуть
Data Sheet 4.5V Drive Nch MOSFET RMW200N03  Structure Silicon N-channel MOSFET  Dimensions (Unit : mm) (8) (7) (6) (5) 5.0 6.0 Features 1) High Power package(PSOP8). 2) High-speed switching,Low On-resistance. 3) Low voltage drive(4.5V drive). 0.5 PSOP8 (1) (2) (3) (4) 0.4 1.27 0.5 1pin mark 0~0.1 0.22 0.9 5.0  Application Switching  Packaging specifications  Inner circuit Package Code Basic ordering unit (pieces) RMW200N03 Taping TB 2500  Type (8)  Absolute maximum ratings (Ta = 25C) Parameter Symbol Limits Unit Drain-source voltage VDSS 30 V Gate-source voltage VGSS 20 V 20 A 80 2.5 A A Drain current Source current (Body Diode) Continuous ID Pulsed Continuous IDP IS *1 Pulsed ISP *1 80 A PD *2 3.0 W Tch Tstg 150 55 to 150 C C Symbol Limits Unit 41.7 C / W Power dissipation Channel temperature Range of storage temperature (1) (2) (3) (4) (5) (6) (7) (8) Source Source Source Gate Drain Drain Drain Drain (7) (6) (5) (3) (4) ∗2 ∗1 (1) (2) ∗1 ESD PROTECTION DIODE ∗2 BODY DIODE *1 Pw10s, Duty cycle1% *2 MOUNTED ON 40mm×40mm Cu BOARD  Thermal resistance Parameter Channel to Ambient Rth (ch-a)* * MOUNTED ON 40mm×40mm Cu BOARD www.rohm.com © 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/6 2011.03 - Rev.A PDF
Документация на RMW200N03TB 

RMW200N03 : Transistors

Дата модификации: 04.03.2013

Размер: 514.5 Кб

7 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    PF140N (LTL)