RS1G260MNTB

Rohm
MOSFET N-CH 40V 26A 8HSOP
развернуть ▼ свернуть ▲
 

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус DFN-8 TDFN8
Конфигурация и полярность
Максимальное напряжение сток-исток
Ток стока номинальный при 25°C, без учета ограничений корпуса
Сопротивление открытого канала (мин)
Сопротивление открытого канала при диапазоне Uзатв(ном)
Диапазон номинальных напряжений затвора
Максимальное напряжение затвора
Заряд затвора
Рассеиваемая мощность
  Примечание: Power Field-Effect Transistor, 26A I(D), 40V, 0.0044ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET
Ёмкость затвора
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 2

показать свернуть
RS1G260MN Datasheet Nch 40V 80A Power MOSFET l Outline VDSS 40V RDS(on)(Max.) 3.3mΩ ID ±80A PD 35W HSOP8 l Inner circuit l Features 1) Low on - resistance 2) High power small mold package (HSOP8) 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 4) Halogen free 5) 100% Rg and UIS tested l Packaging specifications Embossed Tape Packing l Application Reel size (mm) Tape width (mm) Type Switching 330 12 Basic ordering unit (pcs) Taping code Marking 2500 TB RS1G260MN l Absolute maximum ratings (Ta = 25°C ,unless otherwise specified) Parameter Drain - Source voltage Continuous drain current Tc = 25°C Ta = 25°C Pulsed drain current Gate - Source voltage Avalanche current, single pulse Avalanche energy, single pulse Power dissipation Junction temperature Operating junction and storage temperature range www.rohm.com © 2017 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. Symbol Value Unit VDSS ID*1 ID IDP*2 VGSS IAS*3 EAS*3 PD*1 PD*4 Tj 40 V ±80 ±26 ±104 ±20 26 52 35 3.0 150 -55 to +150 A A A V A mJ W W Tstg 1/10 ℃ ℃ 20171018 - Rev.002 PDF
Документация на RS1G260MNTB 

RS1G260MNTB : Transistors Author: ROHM Co., Ltd

Дата модификации: 09.09.2019

Размер: 1.48 Мб

13 стр.

RS1G260MN Datasheet Nch 40V 26A Power MOSFET l Outline VDSS 40V RDS(on)(Max.) 3.3mΩ ID ±26A PD 3W HSOP8 l Inner circuit l Features 1) Low on - resistance. 2) High power small mold package (HSOP8). 3) Pb-free lead plating ; RoHS compliant 4) Halogen free 5) 100% Rg and UIS tested. l Packaging specifications Embossed Tape 330 Packing Reel size (mm) l Application Type Switching Tape width (mm) Basic ordering unit (pcs) Taping code Marking 12 2500 TB RS1G260MN l Absolute maximum ratings (Ta = 25°C) Parameter Symbol VDSS ID*1 ID ID,pulse*2 VGSS EAS*3 IAS*3 PD*1 PD*4 Tj Tstg Drain - Source voltage Continuous drain current Tc = 25°C Ta = 25°C Pulsed drain current Gate - Source voltage Avalanche energy, single pulse Avalanche current Power dissipation Junction temperature Range of storage temperature www.rohm.com © 2015 ROHM Co., Ltd. All rights reserved. 1/10 Value Unit 40 ±80 ±26 ±104 ±20 52.6 26 35 3 150 -55 to +150 V A A A V mJ A W W ℃ ℃ 20150817 - Rev.001 PDF
Документация на RS1G260MNTB 

RS1G260MN : Transistors Author: ROHM Co., Ltd

Дата модификации: 20.08.2015

Размер: 2.47 Мб

11 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.

    PF140N (LTL)