SEMiX223GD12E4c

IGBT силовой модуль - [SEMiX 33c]; Схема: GD; Напряжение: 1.2 кВ; Ток: 225 А; Технология: IGBT 4 (Trench); Ключей: 6
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Технология кристалла
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
SEMiX223GD12E4c Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES IC Tj = 175 °C 1200 V Tc = 25 °C 333 A Tc = 80 °C 256 A 225 A ICnom ICRM SEMiX® 33c Trench IGBT Modules ICRM = 3xICnom 675 A -20 ... 20 V 10 µs -40 ... 175 °C Tc = 25 °C 270 A Tc = 80 °C 202 A 225 A VGES tpsc VCC = 800 V VGE ≤ 20 V VCES ≤ 1200 V Tj = 150 °C Tj Inverse diode IF SEMiX223GD12E4c Tj = 175 °C IFnom Features • Homogeneous Si • Trench = Trenchgate technology • VCE(sat) with positive temperature coefficient • High short circuit capability • UL recognized, file no. E63532 IFRM IFRM = 3xIFnom 675 A IFSM tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C 1161 A -40 ... 175 °C Tj Module It(RMS) Tstg Visol AC sinus 50Hz, t = 1 min 600 A -40 ... 125 °C 4000 V Typical Applications* • AC inverter drives • UPS • Electronic Welding Characteristics Symbol Conditions min. typ. max. Unit Tj = 25 °C 1.85 2.1 V Tj = 150 °C 2.25 2.45 V VCE0 Tj = 25 °C 0.8 0.9 V Tj = 150 °C 0.7 0.8 V rCE Tj = 25 °C 4.7 5.3 mΩ IGBT Remarks • Case temperature limited to TC=125°C max. • Product reliability results are valid for Tj=150°C VCE(sat) IC = 225 A VGE = 15 V chiplevel VGE = 15 V VGE(th) VGE=VCE, IC = 9 mA ICES VGE = 0 V VCE = 1200 V Cies Coes Cres VCE = 25 V VGE = 0 V QG VGE = - 8 V...+ 15 V RGint Tj = 25 °C VCC = 600 V IC = 225 A td(on) tr Eon Tj = 150 °C 5 Tj = 25 °C mΩ V 0.1 0.3 mA mA f = 1 MHz 13.2 nF f = 1 MHz 0.87 nF f = 1 MHz 0.71 nF 1275 nC 3.33 Ω Tj = 150 °C 213 ns Tj = 150 °C 60 ns Tj = 150 °C 22 mJ 535 ns 113 ns 31.4 mJ Eoff Rth(j-c) per IGBT tf 7.3 6.5 Tj = 150 °C RG on = 1.5 Ω Tj = 150 °C RG off = 1.5 Ω di/dton = 3630 A/µs Tj = 150 °C di/dtoff = 2235 A/µs Tj = 150 °C td(off) 6.9 5.8 0.135 K/W GD © by SEMIKRON Rev. 1 – 28.06.2010 1 PDF
Документация SEMiX223GD12E4c 

SEMiX223GD12E4c IGBT - SEMiX

Дата модификации: 11.05.2012

Размер: 363.5 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.