SEMiX303GB12E4s

IGBT силовой модуль - [SEMiX 3s]; Схема: GB; Напряжение: 1.2 кВ; Ток: 300 А; Технология: IGBT 4 (Trench); Ключей: 2
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Технология кристалла
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Схема Ключей Напряжение Ток Технология Примечания Ток пик Мощность Карточка
товара
P= SEMIX703GB126HDS (SMK) в коробках 6 шт IGBT силовой модуль - [SEMiX 3s]; Схема: GB; Напряжение: 1.2 кВ; Ток: 450 А; Технология...
P= SEMIX503GB126HDS (SMK) IGBT силовой модуль - [SEMiX 3s]; Схема: GB; Напряжение: 1.2 кВ; Ток: 300 А; Технология...
P= SEMIX453GB12E4S (SMK) в коробках 6 шт
P= SEMIX604GB126HDS (SMK) в коробках 4 шт Модуль IGBT. 595A. 1200V.

Файлы 1

показать свернуть
SEMiX303GB12E4s Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES IC Tj = 25 °C Tj = 175 °C 1200 V Tc = 25 °C 466 A Tc = 80 °C 359 A 300 A ICnom ICRM SEMiX® 3s Trench IGBT Modules SEMiX303GB12E4s VGES tpsc Tj ICRM = 3xICnom VCC = 800 V VGE ≤ 20 V VCES ≤ 1200 V 900 A -20 ... 20 V 10 µs -40 ... 175 °C Tc = 25 °C 338 A Tc = 80 °C 252 A 300 A Tj = 150 °C Inverse diode IF Tj = 175 °C IFnom Features • Homogeneous Si • Trench = Trenchgate technology • VCE(sat) with positive temperature coefficient • High short circuit capability • UL recognized, file no. E63532 Typical Applications* • AC inverter drives • UPS • Electronic Welding Remarks • Case temperature limited to TC=125°C max. • Product reliability results are valid for Tj=150°C • Dynamic values apply to the following combination of resistors: RGon,main = 1,0  RGoff,main = 1,0  RG,X = 2,0  RE,X = 0,5  IFRM IFRM = 3xIFnom 900 A IFSM tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C 1485 A -40 ... 175 °C Tj Module It(RMS) Tterminal = 80 °C Tstg Visol AC sinus 50Hz, t = 1 min 600 A -40 ... 125 °C 4000 V Characteristics Symbol IGBT VCE(sat) VCE0 rCE Conditions IC = 300 A VGE = 15 V chiplevel VGE = 15 V min. typ. max. Unit Tj = 25 °C 1.8 2.05 V Tj = 150 °C 2.2 2.4 V Tj = 25 °C 0.8 0.9 V Tj = 150 °C 0.7 0.8 V Tj = 25 °C 3.3 3.8 m 5.0 5.3 m 5.8 6.5 V 0.1 0.3 mA Tj = 150 °C VGE(th) VGE=VCE, IC = 11.4 mA ICES VGE = 0 V VCE = 1200 V Cies Coes Cres VCE = 25 V VGE = 0 V QG VGE = - 8 V...+ 15 V RGint Tj = 25 °C VCC = 600 V IC = 300 A VGE = ±15 V RG on = 1.9  RG off = 1.9  di/dton = 5250 A/µs di/dtoff = 2825 A/µs td(on) tr Eon td(off) tf Eoff Rth(j-c) Tj = 25 °C 5 Tj = 150 °C mA f = 1 MHz 18.5 nF f = 1 MHz 1.22 nF f = 1 MHz 1.03 nF 1695 nC 2.50  Tj = 150 °C 255 ns Tj = 150 °C 57 ns Tj = 150 °C 30 mJ Tj = 150 °C 565 ns Tj = 150 °C 98 ns Tj = 150 °C 41.2 mJ per IGBT 0.095 K/W GB © by SEMIKRON Rev. 2 – 17.01.2012 1 PDF
Документация SEMiX303GB12E4s 

SEMiX303GB12E4s IGBT - SEMiX

Дата модификации: 11.05.2012

Размер: 424.3 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.