SEMiX503GB126HDs

IGBT MODULE, 2X1200V; Transistor Type:Dual Trench IGBT; Current, Ic Continuous a Max:480A; Voltage, Vce Sat Max:2.15V; Case Style:SEMiX 3s; Current, Ic av:480A; Current, Icm Pulsed:600A; Current, Ifs Max:2000A; Time, Rise:55ns; Voltage, Vceo:1.2V; Voltage, Vrrm:1200V
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Технология кристалла
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Схема Ключей Напряжение Ток Технология Примечания Ток пик Мощность Карточка
товара
P= SEMIX303GB12E4S (SMK) в коробках 6 шт IGBT силовой модуль - [SEMiX 3s]; Схема: GB; Напряжение: 1.2 кВ; Ток: 300 А; Технология...
P= SEMIX703GB126HDS (SMK) в коробках 6 шт IGBT силовой модуль - [SEMiX 3s]; Схема: GB; Напряжение: 1.2 кВ; Ток: 450 А; Технология...
P= SEMIX453GB12E4S (SMK) в коробках 6 шт
P= SEMIX604GB126HDS (SMK) в коробках 4 шт Модуль IGBT. 595A. 1200V.

Файлы 1

показать свернуть
SEMiX503GB126HDs Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES IC Tj = 25 °C Tj = 150 °C 1200 V Tc = 25 °C 466 A Tc = 80 °C 327 A 300 A ICnom ICRM SEMiX® 3s Trench IGBT Modules SEMiX503GB126HDs VGES tpsc Tj ICRM = 2xICnom VCC = 600 V VGE ≤ 20 V VCES ≤ 1200 V 600 A -20 ... 20 V 10 µs -40 ... 150 °C Tc = 25 °C 431 A Tc = 80 °C 298 A 300 A Tj = 125 °C Inverse diode IF Tj = 150 °C IFnom Features • Homogeneous Si • Trench = Trenchgate technology • VCE(sat) with positive temperature coefficient • High short circuit capability • UL recognised file no. E63532 Typical Applications* • AC inverter drives • UPS • Electronic Welding Remarks • Case temperatur limited to TC=125°C max. • Not for new design IFRM IFRM = 2xIFnom 600 A IFSM tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C 2000 A -40 ... 150 °C Tj Module It(RMS) Tterminal = 80 °C Tstg Visol AC sinus 50Hz, t = 1 min 600 A -40 ... 125 °C 4000 V Characteristics Symbol IGBT VCE(sat) VCE0 rCE Conditions IC = 300 A VGE = 15 V chiplevel VGE = 15 V min. typ. max. Unit Tj = 25 °C 1.7 2.1 V Tj = 125 °C 2.0 2.45 V Tj = 25 °C 1 1.2 V Tj = 125 °C 0.9 1.1 V Tj = 25 °C 2.3 3.0 m Tj = 125 °C VGE(th) VGE=VCE, IC = 12 mA ICES VGE = 0 V VCE = 1200 V Cies Coes Cres VCE = 25 V VGE = 0 V QG VGE = - 8 V...+ 15 V RGint Tj = 25 °C VCC = 600 V IC = 300 A VGE = ±15 V RG on = 2.2  RG off = 2.2  td(on) tr Eon td(off) tf Eoff Rth(j-c) Tj = 25 °C 5 3.7 4.5 m 5.8 6.5 V 0.1 0.3 mA Tj = 125 °C mA f = 1 MHz 21.6 nF f = 1 MHz 1.13 nF f = 1 MHz 0.98 nF 2400 nC 2.50  Tj = 125 °C 275 ns Tj = 125 °C 55 ns Tj = 125 °C 28 mJ Tj = 125 °C 625 ns Tj = 125 °C 125 ns Tj = 125 °C 44 mJ per IGBT 0.08 K/W GB © by SEMIKRON Rev. 2 – 17.01.2012 1 PDF
Документация SEMiX503GB126HDs 

SEMiX503GB126HDs IGBT - SEMiX

Дата модификации: 11.05.2012

Размер: 451.3 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.