SEMiX604GB126HDs

Модуль IGBT. 595A. 1200V.
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Технология кристалла
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 1

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Схема Ключей Напряжение Ток Технология Примечания Ток пик Мощность Карточка
товара
P= SEMIX453GB12E4S (SMK) в коробках 6 шт

Файлы 1

показать свернуть
SEMiX604GB126HDs Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES IC Tj = 150 °C 1200 V Tc = 25 °C 590 A Tc = 80 °C 413 A 400 A ICnom ICRM SEMiX® 4s Trench IGBT Modules ICRM = 2xICnom 800 A -20 ... 20 V 10 µs -40 ... 150 °C Tc = 25 °C 533 A Tc = 80 °C 367 A 400 A VGES tpsc VCC = 600 V VGE ≤ 20 V VCES ≤ 1200 V Tj = 125 °C Tj Inverse diode IF SEMiX604GB126HDs Tj = 150 °C IFnom Features • Homogeneous Si • Trench = Trenchgate technology • VCE(sat) with positive temperature coefficient • High short circuit capability • UL recognised file no. E63532 IFRM IFRM = 2xIFnom 800 A IFSM tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C 2500 A -40 ... 150 °C Tj Module It(RMS) Tstg Visol AC sinus 50Hz, t = 1 min 600 A -40 ... 125 °C 4000 V Typical Applications* • AC inverter drives • UPS • Electronic Welding Characteristics Symbol Conditions min. typ. max. Unit Tj = 25 °C 1.7 2.1 V Tj = 125 °C 2 2.45 V Tj = 25 °C 1 1.2 V Tj = 125 °C 0.9 1.1 V Tj = 25 °C 1.8 2.3 mΩ IGBT Remarks • Case temperatur limited to TC=125°C max. • Not for new design VCE(sat) IC = 400 A VGE = 15 V chiplevel VCE0 rCE VGE = 15 V Tj = 125 °C VGE(th) VGE=VCE, IC = 16 mA ICES VGE = 0 V VCE = 1200 V Cies Coes Cres VCE = 25 V VGE = 0 V QG VGE = - 8 V...+ 15 V RGint Tj = 25 °C VCC = 600 V IC = 400 A td(on) tr Eon RG on = 2.2 Ω RG off = 2.2 Ω Tj = 25 °C 5 2.8 3.4 mΩ 5.8 6.5 V 0.12 0.36 mA Tj = 125 °C mA f = 1 MHz 28.8 nF f = 1 MHz 1.51 nF f = 1 MHz 1.31 nF 3200 nC 1.88 Ω Tj = 125 °C 330 ns Tj = 125 °C 70 ns Tj = 125 °C 36 mJ Tj = 125 °C 630 ns tf Tj = 125 °C 130 ns Eoff Tj = 125 °C 60 mJ td(off) Rth(j-c) per IGBT 0.065 K/W GB © by SEMIKRON Rev. 0 – 16.04.2010 1 PDF
Документация SEMiX604GB126HDs 

SEMiX604GB126HDs IGBT - SEMiX

Дата модификации: 11.05.2012

Размер: 369.5 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.