SEMiX653GB176HDs

IGBT MODULE, 2X1700V; Transistor Type:IGBT Module; Transistor Polarity:N Channel; Voltage, Vces:1700V; Current, Ic Continuous a Max:650A; Voltage, Vce Sat Max:2.45V; Case Style:SEMiX 3s; Termination Type:Screw; Current, Ic av:650A; Current, Icm Pulsed:900A; Current, Ifs Max:2900A; Time, Rise:90ns; Voltage, Vceo:1.2V; Voltage, Vrrm:1700V
развернуть ▼ свернуть ▲
 
 

Технические характеристики

показать свернуть
Внутренняя схема
Кол-во ключей в модуле
Напряжение К-Э
Рабочий ток при 25°C
Технология кристалла
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Файлы 1

показать свернуть
SEMiX653GB176HDs Absolute Maximum Ratings Symbol Conditions Values Unit IGBT VCES IC Tj = 25 °C Tj = 150 °C 1700 V Tc = 25 °C 619 A Tc = 80 °C 438 A 450 A ICnom ICRM SEMiX® 3s Trench IGBT Modules SEMiX653GB176HDs VGES tpsc Tj ICRM = 2xICnom VCC = 1000 V VGE ≤ 20 V VCES ≤ 1700 V 900 A -20 ... 20 V 10 µs -55 ... 150 °C Tc = 25 °C 545 A Tc = 80 °C 365 A 450 A Tj = 125 °C Inverse diode IF Tj = 150 °C IFnom Features • Homogeneous Si • Trench = Trenchgate technology • VCE(sat) with positive temperature coefficient • UL recognised file no. E63532 Typical Applications* • AC inverter drives • UPS • Electronic welders IFRM IFRM = 2xIFnom 900 A IFSM tp = 10 ms, sin 180°, Tj = 25 °C 2900 A -40 ... 150 °C Tj Module It(RMS) Tterminal = 80 °C Tstg Visol AC sinus 50Hz, t = 1 min 600 A -40 ... 125 °C 4000 V Characteristics Symbol IGBT VCE(sat) VCE0 rCE Conditions IC = 450 A VGE = 15 V chiplevel VGE = 15 V min. typ. max. Unit Tj = 25 °C 2 2.45 V Tj = 125 °C 2.5 2.9 V Tj = 25 °C 1 1.2 V Tj = 125 °C 0.9 1.1 V Tj = 25 °C 2.2 2.8 m 3.4 4.0 m 5.8 6.4 V 3 mA Tj = 125 °C VGE(th) VGE=VCE, IC = 18 mA ICES VGE = 0 V VCE = 1700 V Cies Coes Cres VCE = 25 V VGE = 0 V QG VGE = - 8 V...+ 15 V RGint Tj = 25 °C VCC = 1200 V IC = 450 A VGE = ±15 V RG on = 3.6  RG off = 3.6  td(on) tr Eon td(off) tf Eoff Rth(j-c) 5.2 Tj = 25 °C Tj = 125 °C mA f = 1 MHz 39.6 nF f = 1 MHz 1.65 nF f = 1 MHz Tj = 125 °C 1.31 nF 4200 nC 1.67  290 ns Tj = 125 °C 90 ns Tj = 125 °C 300 mJ Tj = 125 °C 975 ns Tj = 125 °C 190 ns Tj = 125 °C 180 mJ per IGBT 0.054 K/W GB © by SEMIKRON Rev. 2 – 13.01.2012 1 PDF
Документация SEMiX653GB176HDs 

SEMiX653GB176HDs IGBT - SEMiX

Дата модификации: 11.05.2012

Размер: 472.9 Кб

5 стр.

    Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.