2N5192

Биполярный транзистор - [SOT-32]; Тип: NPN; UКЭ(макс): 80 В; UКЭ(пад): 1.4 В; IК(макс): 4 А; Pрасс: 40 Вт; h21: 7...100
развернуть ▼ свернуть ▲

Технические характеристики

показать свернуть
Корпус TO225
Тип проводимости и конфигурация
Рассеиваемая мощность
Напряжение КЭ максимальное
Напряжение падения КЭ в открытом состоянии
Ток коллектора
Граничная рабочая частота
Коэффициент усиления по току
  Примечание: Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 80V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-126, Plastic/Epoxy, 3 Pin
Нашли ошибку? Выделите её курсором и нажмите CTRL + ENTER

Аналоги 4

показать свернуть
Тип Наименование Корпус Упаковка i Тип Пара Pрасс UКЭ(макс) UКЭ(пад) IК(макс) F гран h 21 R1 R2 Примечание Карточка
товара
A+ 2SC3320 (ISC) TO3P в линейках 25 шт
A+ BU406 (ONS-FAIR) TO-220-3 в линейках 50 шт
 
A+ FZT1053ATA (DIODES) TO261 в ленте 1000 шт Power Bipolar Transistor, 4.5A I(C), 75V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, Plastic/Epoxy, 4 Pin
A+ ST13005 (ST) TO220AB в линейках 50 шт Power Bipolar Transistor, 4A I(C), 400V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, TO-220AB, Plastic/Epoxy, 3 Pin

Файлы

показать свернуть

Внимание! Точность указанного на сайте описания товара не может быть гарантирована. Для получения более полной и точной информации о товаре смотрите техническое описание (Datasheet) на сайте производителя.